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MOSFET Qrr——在追求能效时,忽视这一参数是危险的

时间:2019-09-06 作者:Mike Becker,安世半导体 阅读:
在电流流经MOSFET体二极管的应用中,反向恢复电荷Qrr会引起一些重大的挑战,设计工程师需要仔细处理。在低功耗充电器和适配器产品应用中,其开关频率高且负载电流一般小于5A,对I2R损耗的关注较少,设计工程师应密切关注动态损耗。选择低Qrr MOSFET可以降低尖峰值,提高效率,降低EMI辐射。

在为许多类型的消费和工业应用设计电源时,效率往往是最重要的因素,这些应用包括手机、平板电脑和笔记本电脑、可充电的电动工具和LED照明,以及不计其数的其它产品。 一些应用需要高效率,以满足法定要求,或只是减少散热,从而实现更小、更轻的最终产品设计。选择同步MOSFET来满足所有这些要求可能是一项较为困难的任务。thBEETC-电子工程专辑

当然,工程师首先会查看显眼的数据表参数,选择电压和电流额定值合适的器件。由于效率很重要,大多数器件首先按照RDS(on)选择。 然后依据开关频率选择动态参数;例如,栅极电荷Qg和Qgd可以很好地反映栅极的预期损耗。Qg品质因数(FOM = RDS(on) x QG)也可以很好地反映开关应用中MOSFET的效率,同时MOSFET的电容,Ciss、Coss、Crss可以反映漏极-源极尖峰和栅极扰动是否会成为问题。低电容也有助于提高效率。最后,器件必须能够适合于您的设计,所以您需要查看其尺寸和所采用的封装。thBEETC-电子工程专辑

然而,还有另一个参数Qrr常常被忽略,它通常位于数据表的底部。在电流流经MOSFET体二极管的应用中,例如,在同步整流器和续流应用中,反向恢复电荷Qrr会引起一些重大的挑战,设计工程师需要仔细处理。thBEETC-电子工程专辑

Qrr或反向恢复电荷是当二极管正向偏置时,在MOSFET体二极管的PN结累积的电荷。在大多数应用中,电流在每个开关周期流过体二极管两次,导致电荷累积。之后的电荷释放,要么是在MOSFET内部,要么是作为附加电流(Irr)短暂地流过高边MOSFET,并在系统中造成额外的损耗。thBEETC-电子工程专辑

尖峰特性

反向恢复电流(Irr)也与PCB的寄生电感相互作用,导致漏极-源极电压(VDS)出现尖峰。这些尖峰可以通过降低PCB的电感或选择Qrr较低的MOSFET来降低。 如果不能在设计阶段解决尖峰问题,往往导致工程师不得不使用更高的电压等级,因此项目后期需要使用价格更高昂的MOSFET。thBEETC-电子工程专辑

但这仍然留下了一个问题。如果不加以处理,则漏极引脚上的尖峰可以经由电容耦合到栅极引脚上,导致所谓的“栅极扰动”。如果栅极扰动超过MOSFET的阈值电压,则发生交叉导通,且MOSFET可能在应该关闭时导通。如果高端MOSFET和低端MOSFET同时导通,电源轨之间会产生直通电流,造成较大的功率损耗,并有可能损坏MOSFET。thBEETC-电子工程专辑

让我们来更详细地研究一下这个问题。在大多数应用所需的死区时间,电流在每个开关周期会流过体二极管两次。让我们首先考量一下在同步场效应晶体管导通之前会发生什么。由于在死区时间内电流将流经体二极管,因此有些负载电流将作为积累电荷(Qrr)被捕获。thBEETC-电子工程专辑

当同步场效应晶体管导通时,则积累的电荷在MOSFET内部释放。因此,部分负载电流由于Qrr效应而损耗,导致同步场效应晶体管内产生I2R损耗。thBEETC-电子工程专辑

在第二种情况下,当高边MOSFET导通时,MOSFET的体二极管再次发生反向偏置。附加电流Irr会短暂流经高边MOSFET,直到积累的电荷Qrr完全耗尽。电荷耗尽不是瞬间完成的,Irr通常会流动几十纳秒,直到Qrr耗尽。反向恢复时间Trr被引用于数据表中。在这种情况下,Irr会在高边MOSFET中导致额外的I2R损耗,如图1所示。thBEETC-电子工程专辑

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图1:Irr导致高边MOSFET中额外的I2R损耗thBEETC-电子工程专辑

Vds尖峰

反向恢复电流尖峰Irr也与PCB的寄生电感相互作用,产生电压尖峰,其中:thBEETC-电子工程专辑

V = L x (di/dt)。thBEETC-电子工程专辑

MOSFET的耐压值选择应该适当,以确保击穿电压额定值(BVDS)高于最大尖峰值;通常采用80%降额。测量的尖峰值为80V 时,Vds的耐压一般要求采用BVDS至少100V的MOSFET。thBEETC-电子工程专辑

栅极扰动

当Vds尖峰出现时,设计人员还应该在他们的应用中查看栅极扰动。由于MOSFET的所有三个端子之间都有电容,因此漏极引脚上的任何尖峰也将通过电容耦合到MOSFET的栅极引脚上。在极端情况下,如果栅极扰动超过MOSFET的阈值电压,则MOSFET会进入导通状态。thBEETC-电子工程专辑

预驱电路通常需要设置死区时间,以保证高边MOSFET和低边MOSFET不能同时导通。但是,当栅极扰动发生时,低边与高边MOSFET同时导通,导致直通电流在电源轨之间流动,从而引起I2R损耗过大,在极端情况下会导致MOSFET损坏。thBEETC-电子工程专辑

所有MOSFET都不是相同的

对于100V MOSFET,在4~8mΩ导通电阻区间内就不同MOSFET供应商的数据表参数进行比较时,可以发现不同供应商的Qrr存在很大差异。对于具有类似导通电阻的MOSFET,安世半导体的NextPower 100V技术提供的Qrr通常比其他MOSFET供应商低30%到100%。thBEETC-电子工程专辑

在典型应用中,因为很难分离和测量单个Qrr效应,因此我们依赖于仿真来模拟其效应。thBEETC-电子工程专辑

对7mΩ MOSFET PSMN6R9-100YSF的Spice 仿真显示,当Qrr增大至2倍时,产生的尖峰电压可以增加约8%,如图2所示。thBEETC-电子工程专辑
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图2:通过一款7mΩ MOSFET的Spice仿真显示,当Qrr增大至2倍时,产生的尖峰电压增加约8%thBEETC-电子工程专辑

选择低Qrr MOSFET也可以显著提高效率,特别是在低负载电流下。thBEETC-电子工程专辑

结论

在低功耗充电器和适配器产品应用中,其开关频率高且负载电流一般小于5A,对I2R损耗的关注较少,设计工程师应密切关注动态损耗。选择低Qrr MOSFET可以降低尖峰值,提高效率,降低EMI辐射,如图3所示。thBEETC-电子工程专辑
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图3:低Qrr MOSFET可以降低尖峰值,提高效率,降低EMI辐射thBEETC-电子工程专辑

本文同步刊登于电子工程专辑杂志2019年9月刊thBEETC-电子工程专辑

本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
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