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三星开发出12层3D-TSV封装,24GB HBM即将量产

时间:2019-10-09 作者:网络整理 阅读:
10月7日,三星电子宣布已率先在业内开发出12层3D-TSV(Through-Silicon Via,硅穿孔)技术。该技术在保持芯片尺寸的同时增加了内存容量,不久后将量产24GB的高带宽内存(HBM)。
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10月7日,三星电子宣布已率先在业内开发出12层3D-TSV(Through-Silicon Via,硅穿孔)技术。该技术在保持芯片尺寸的同时增加了内存容量,不久后将量产24GB的高带宽内存(HBM)。zojEETC-电子工程专辑
20191009-samsung-TSV-1.pngzojEETC-电子工程专辑
据介绍,该技术能让DRAM芯片的堆叠层数从8层增至12层,是量产高效能芯片最具挑战的封装技术之一,需要极度精准,才能让12层DRAM芯片,透过6万个TSV穿孔的3D结构,垂直互连,厚度只有人类头发的1/20。zojEETC-电子工程专辑

三星补充道:“利用这项新技术,可以堆叠12个DRAM芯片,同时保持与现有8层HBM2产品相同的封装厚度,即720微米(μm)。这对客户来说意味着即使系统设计没有任何变化,也可以生成高量和高性能的产品。不只如此,和现行PoP(Package on Package)封装的打线键合(wire bonding)技术相比,3D封装能缩短芯片间的数据传输时间,可提高速度、减少耗电。”zojEETC-电子工程专辑

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三星还透露,基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产,单片容量从目前的8GB来到24GB。zojEETC-电子工程专辑

“最新的封装技术在AI、自动驾驶和HPC(高性能计算)等领域变得越来越重要,”三星电子DS部门副总裁Baek Hong-joo说道。“摩尔定律濒临界线,预料3D-TSV技术将益发重要,我们将通过12层3D-TSV技术在半导体封装领域保持领先地位。”zojEETC-电子工程专辑

责编:Luffy LiuzojEETC-电子工程专辑

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