向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

NOR Flash找到了新出路!

时间:2019-11-29 作者:Gary Hilson 阅读:
NOR Flash正面临性能扩展的瓶颈,并逐渐被更多的SLC NAND应用所取代;不过,业界专家认为,NOR Flash并不会完全消失,但必须转而寻求其它应用需求…
电子工程专辑 EE Times China -提供有关电子工程及电子设计的最新资讯和科技趋势

随着NOR闪存(NOR Flash)即将遭遇性能扩展的瓶颈,今年十月起从东芝内存(Toshiba Memory)更名的铠侠株式会社(Kioxia Memory)认为,平面SLC NAND可望取而代之成为更多应用的理想选择。另一方面,NOR Flash并不会真的消失,而只是转移至满足不同的应用需求。cptEETC-电子工程专辑

Kioxia Memory最近推出一系列SLC NAND Flash内存产品,可用于需要高速数据传输的嵌入式应用,包括平面电视、打印机、穿戴式装置以及机器人等。Kioxia的第二代串行接口NAND兼容于目前普及的序列外围接口(SPI),并一举将传输速度从上一代的104MHz提升到133MHz。该新系列产品线一共有8种产品,分别支持从2.70~3.60V和1.70~1.95V的供电电压。cptEETC-电子工程专辑

据Kioxia内存业务部门总监Brian Kumagai表示,长久以来,尽管NOR Flash一直是储存开机程序代码甚至于底层操作系统(OS)程序代码的首选内存,但随着软件要求变得越来越严格,并占用更多的空间,使得NOR Flash的价格开始变得比NAND Flash更昂贵。cptEETC-电子工程专辑

他说,即使NAND必须进行一些Flash管理的整合工作,一旦开始达到512MB或更高密度时,也有助于节省部份成本。因此,Kumagai补充说:“使用NAND Flash虽然要做更多的工作,但绝对具有成本优势。”cptEETC-电子工程专辑

20191129-001.jpgcptEETC-电子工程专辑
Kioxia的第二代串行接口NAND兼容于SPI,可取代密度要求不断提高的NOR Flash。(来源:Koxia)cptEETC-电子工程专辑

在诸如企业级储存等较大型系统中,尽管3D TLC NAND由于具有高密度而广受关注,但Kioxia资深应用工程师Doug Wong表示,SLC为需要较小密度且长寿命装置的嵌入式应用提供了最佳耐用性和数据保留特性,例如电视和游戏系统。cptEETC-电子工程专辑

Wong补充说:“事实上,这正是SLC得以持续存在的原因之一。”但NOR Flash也仍有其优势。它的速度够快,能够实现就地执行(execute in place;XIP)作业。“只要给它一个地址,它就能以足够快的速度取回指令,因此实际上不必将“影子”(shadow)程序代码从NAND Flash传送至RAM。”cptEETC-电子工程专辑

然而,Wong表示,由于人们期望目前使用NOR Flash的产品能够提供更多功能,因此,在密度提升的要求下,将推动更多的替代产品被采用,无论是SPI SLC NAND组件还是MRAM,因为它既可以充当RAM或者作为一种挥发性内存。他说,“未来,由于人们持续要求更多功能,而这将会需要更多的软件,因此而将在NOR Flash之外发展出一个重大的趋势。”cptEETC-电子工程专辑

Forward Insights首席分析师Gregory Wong说,NOR Flash的使用日益减少实际上可归咎于其无法扩展,以及适于需要1GB或更高容量的应用。这不但价格昂贵,而且并没有太多供货商可以选择。而支持SPI接口的NAND选项更可能适于机顶盒(STP)和电视等装置,因为这些装置日益变得更智慧而且需要储存更多程序代码。cptEETC-电子工程专辑

但是,无论是Kioxia还是Forward Insights的Wong都认为NOR并未完全消失。Forward Insights的Wong指出,随着某些应用需求超出NOR所及,其他只需较小密度的应用需求则相继出现。例如,许多物联网(IoT)装置可将NOR Flash用于储存程序代码,而诸如无线耳塞式耳机(earbud)之类的小装置以及带有手指传感器的触控屏幕应用也都选用了序列NOR。cptEETC-电子工程专辑

Gregory Wong说,对于必须使用NAND Flash的应用,SLC是最佳选择,因为它的密度仍然相对较小,例如耐久性和纠错功能至关重要的应用,采用MLC或TLC都没什么成本优势。“如果你采用了MLC或TLC,很可能造成性能和耐久性的退化,因此,这就是为什么业界持续选择使用SLC NAND的原因。”cptEETC-电子工程专辑

编译:Susan Hong   责编:Yvonne GengcptEETC-电子工程专辑

(参考原文:Displaced NOR Flash Finds New Uses,by R. Colin Johnson)cptEETC-电子工程专辑

 cptEETC-电子工程专辑

电子工程专辑 EE Times China -提供有关电子工程及电子设计的最新资讯和科技趋势
本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
Gary Hilson
EE Times特约编辑。Gary Hilson是一位自由撰稿人和编辑,曾为北美地区的印刷和电子出版物撰写过大量稿件。 他感兴趣的领域包括软件、企业级和网络技术、基础研究和教育市场,以及可持续交通系统和社会新闻。 他的文章发表于Network Computing,InformationWeek,Computing Canada,Computer Dealer News,Toronto Business Times,Strategy Magazine和Ottawa Citizen。
您可能感兴趣的文章
  • 使用有安全保障的闪存存储构建安全的汽车系统 在现代汽车嵌入式系统中,高度安全的数据存储是必不可少的,尤其是在面对日益高明的网络攻击时。本文将介绍设计师正确使用闪存的步骤。
  • 中国存储器产业能否实现自给自足? 中国一直希望本土存储器产业能走进主流市场。为此,中国必须采取什么行动?中国的积极投入将会对全球存储器市场带来什么影响?
  • 新兴存储:从“介质创新”到“与计算融合”的未来 上周在Micron Insight 2019期间美光科技推出了X100 SSD,这是美光第一款3D XPoint技术的产品,旨在填补DRAM和NAND闪存之间的存储市场空白。“X100是基于第一代3D XPoint技术的产品,年内会向少量受邀客户发送样品。”美光技术开发高级副总裁Naga Chandrasekaran透露,同时美光第二代3D XPoint也在研制中,未来还将会有显著的性能提升。
  • Micron Insight 2019亮点:从3D XPoint SSD到AI平台、安 美国时间10月24日,Micron Insight 大会在旧金山27号码头召开,本届大会重点关注智能化加速,了解如何在边缘设备中通过数据访问和分析速度来加速智能,从而丰富科学和医学领域的生活。
  • NVMe大量取代SATA,以太网SSD将掀数据中心架构革命? 云时代和数据时代,让数据中心这一基础设施愈发重要,它还在不断演化,以迎接未来工作负荷的增长。SSD是提升性能的首选,但它的能耗、成本和延迟都太高,为了解决这个问题,Marvell联合东芝推出了一种能直接上网的SSD……
  • 长鑫DRAM投产,首次公开源自奇梦达的技术细节 长鑫曾表示将在年底生产首颗 8Gb DDR4 芯片,不过9月20日,长鑫宣布12英寸DRAM生产线已经提前投产,据悉投产的DDR4芯片通过了多个国内外大客户验证,今年底会正式交付,这将有助于替代进口DRAM。同时在CFMS2019上,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士首次公开这家本土DRAM企业的技术细节,以及他们对DRAM技术现状和未来的看法……
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告