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三星韩国芯片厂突发断电事故,DRAM、NAND生产受影响

时间:2020-01-02 作者:网络整理 阅读:
昨天上午,三星电子公司表示,在周二下午韩国华城芯片工厂发生断电事故,持续大约一分钟,导致其部分生产线暂停!据韩媒报道称,此次断电是因为区域电力传输电缆出现问题,目前部分DRAM和NAND闪存的生产已经暂停,预计需要大约2到3天时间才能全面恢复。
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昨天上午,三星电子公司表示,在周二下午韩国华城芯片工厂发生断电事故,持续大约一分钟,导致其部分生产线暂停!TfHEETC-电子工程专辑

据韩媒报道称,此次断电是因为区域电力传输电缆出现问题,目前部分DRAM和NAND闪存的生产已经暂停,预计需要大约2到3天时间才能全面恢复。TfHEETC-电子工程专辑

外媒透露,三星华城厂区这次跳电事件,影响的包括生产DRAM 的Line 12 产线,和生产NAND Flash 的Line 13 产线,另外,还有采用EUV 技术生产逻辑芯片。TfHEETC-电子工程专辑

韩联社援引一位分析师的话称,这一事件可能有助于抑制三星电子大量芯片库存的增加。TfHEETC-电子工程专辑

市场人士估计,三星华城的DRAM和NAND Flash产线,虽然设立已有一段时间,但也是三星DRAM和NAND Flash主力产线,至于采用EUV先进设备的产线,制程较新,影响更为严重。TfHEETC-电子工程专辑

三星表示,正在检查生产线以备重新启动,并正在评估造成的损失。据一位直接知情人士称,此次事故可能造成数百万美元损失,但没有造成重大破坏。TfHEETC-电子工程专辑

至于为何发生跳电的原因,目前并不清楚。一般而言,晶圆厂的供电系统都设计有两套回路,分别由两个不同的变电所来供电,降低因意外而发生跳电的风险。不过,如果发生大规模的天然灾害,例如地震而导致电厂停止运转的情况,这部分就另当别论。因此,这次韩国三星华城厂区在无发生重大天然灾害情况,却发生跳电,这部分也是三星内部必须停工检查的主要关键。TfHEETC-电子工程专辑

不过,去年日本东芝位于三重县的厂区因地震发生跳电,经历长达半年才恢复生产,造成市场NAND Flash供货短缺,去年7月NAND Flash现货止跌急涨,去年第4季和今年第1季价格也喊涨,三星华城厂跳电,如果停工期拉长,也势必影响整体DRAM和NAND Flash供应。TfHEETC-电子工程专辑

此外,存储器业者预期,本季DRAM涨势由伺服器、绘图用DRAM率先发动,DRAM产业翻转向上号角正式响起,后续伴随在5G和AI人工智能、智能车、物联网等边缘运算对DRAM需求爆发,整体DRAM族群营运都会翻转向上,产业景气正式拨云见日。TfHEETC-电子工程专辑

市调机构集邦咨询也预估,因主要大厂1X纳米制程良率不佳、供货不及,让伺服器和绘图用DRAM翻涨速度比预期快,绘图用DRAM首季合约价涨幅逾5%,超过伺服器用DRAM,让整体DRAM产业景气提前在首季翻扬向上,存储器族群提前迎接景气春燕,明年营运看俏。TfHEETC-电子工程专辑

责编:Yvonne GengTfHEETC-电子工程专辑

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