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三星成功开发业界首款3纳米GAA工艺技术,效能增30%

时间:2020-01-06 作者:网络整理 阅读:
三星电子(Samsung Electronics)已成功开发出业界首款 3 纳米 GAA 工艺技术,副会长李在镕(Lee Jae-yong)1 月 2 日访问了华城(Hwaseong)芯片厂的半导体研发中心,讨论相关的商业化议题。
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三星电子(Samsung Electronics)已成功开发出业界首款 3 纳米 GAA 工艺技术,副会长李在镕(Lee Jae-yong)1 月 2 日访问了华城(Hwaseong)芯片厂的半导体研发中心,讨论相关的商业化议题。icTEETC-电子工程专辑

BusinessKorea、韩国先驱报(Korea Herald)报导,三星电子新开发的 3 纳米 GAA 工艺技术,有望协助公司达成“2030 年半导体愿景”(即于 2030 年在系统半导体、内存芯片领域成为业界领导者)。GAA 是当前 FinFET 技术的升级版,可让芯片商进一步缩小微芯片体积。icTEETC-电子工程专辑

李在镕 2 日访问了华城芯片厂,听取 3 纳米工艺技术的研发简报,并与设备解决方案(device solutions,DS)事业群的主管讨论次世代半导体策略方针。icTEETC-电子工程专辑

与5纳米制造工艺相比,采用3纳米GAA工艺技术的芯片尺寸小了 35%、电力消耗量降低 50%,但运算效能却能拉高 30%。三星计划在 2022 年量产3纳米芯片。icTEETC-电子工程专辑

去年4月,三星电子完成了基于极端紫外线技术(EUV)的5纳米FinFET工艺技术的研发。如今,该公司正在研究下一代纳米工艺技术(即3纳米GAA)。icTEETC-电子工程专辑

对于李在镕此次参观半导体研发中心,三星发言人称:“李在镕今日访问半导体研发中心,再次凸显三星承诺成长为“非内存芯片”市场顶级制造商的决心。”当前,三星已是全球最大的内存芯片制造商。icTEETC-电子工程专辑

此外,三星去年发布了1,118.5 亿美元的投资计划,目标是在 2030 年成为全球顶尖的系统单芯片(SoC)制造商。icTEETC-电子工程专辑

责编:Yvonne GengicTEETC-电子工程专辑

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