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第三代HBM2E显存标准公布,三星抢到首发

时间:2020-02-06 作者:网络整理 阅读:
2月5日消息,三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。3.2Gbps的第三代HBM2早先由三星和SK海力士提出,并更名为HBM2E,这种说法得到JEDEC默认。在JESD235C标准发布的同时,三星宣布名为的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片将在上半年量产。
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2月5日消息 日前,三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。BTyEETC-电子工程专辑

HBM2E堆叠了八个16Gb DRAM芯片,以实现16GB的封装容量,并确保3.2Gbps的稳定数据传输速度。三星电子宣布,其第三代高带宽存储器2E(HBM2E)进入市场“ Flashbolt”。新型16 GB(GB)HBM2E特别适用于最大化高性能计算(HPC)系统,并帮助系统制造商及时改进其超级计算机,AI驱动的数据分析和最新的图形系统。BTyEETC-电子工程专辑

三星内存销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi表示:“随着当今市场上性能最高的DRAM的推出,我们正在迈出关键的一步,以增强我们在快速增长的高端内存市场中作为领先创新者的作用。巩固我们在全球存储器市场的优势,三星将继续履行其带来真正差异化解决方案的承诺。”BTyEETC-电子工程专辑

新型Flashbolt准备提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的两倍,还可以显著提高性能和电源效率,从而显着改善下一代计算系统。通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠八层10nm级(1y)16千兆位(Gb)DRAM裸片来实现16GB的容量。然后,该HBM2E封装以40,000多个“直通硅通孔”(TSV)微型凸块的精确排列进行互连,每个16Gb裸片均包含5,600多个此类微小孔。BTyEETC-电子工程专辑

三星的Flashbolt通过利用专有的优化电路设计进行信号传输,提供了每秒3.2吉比特(Gbps)的高度可靠的数据传输速度,同时每个堆栈提供410GB / s的内存带宽。三星的HBM2E还可以达到4.2Gbps的传输速度,这是迄今为止最大的测试数据速率,在某些将来的应用中,每个堆栈的带宽高达538GB / s。这将比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。BTyEETC-电子工程专辑

三星预计第三代HBM2存储芯片将在今年上半年开始量产。三星将继续提供第二代Aquabolt产品阵容,同时扩展其第三代Flashbolt产品。BTyEETC-电子工程专辑

JEDEC公布HBM2E标准:单Die带宽410GB/s

固态存储协会(JEDEC)在本周发布第三版HBM2存储标准JESD235C,将针脚带宽提高到3.2Gbps,前两版分别是2Gbps、2.4Gbps,环比提升33%。按照设计规范,单Die最大2GB、单堆栈12 Die(无标准高度限制),也就是24GB容量,匹配1024bit位宽,单堆栈理论最大带宽410GB/s。对于支持四堆栈(4096bit)的图形芯片来说,总带宽高达1.64TB/s。第三代HBM2的电压和第二代的1.2V相同,比第一代的1.35V有所下降。BTyEETC-电子工程专辑

3.2Gbps的第三代HBM2早先由三星和SK海力士提出,并更名为HBM2E,这种说法得到JEDEC默认。在JESD235C标准发布的同时,三星宣布名为Flashbolt(前两代名为Flarebolt和Aquabolt)的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片将在上半年量产,单颗最大容量16GB,由16Gb的单Die通过8层堆叠而成。三星的第三代HBM2E甚至支持超频,单针脚可加速到4.2Gbps,单堆栈最大带宽从而升至538GB/s。BTyEETC-电子工程专辑

与目前高端独显采用的256bit GDDR6、14Gbps的针脚带宽的显存相比,总带宽448GB/s仅略高于一个第三代HBM2堆栈的水平。考虑到HBM2更容易扩充总线宽度,GDDR6过犹不及,况且单堆栈最大容量就能达到24GB,四堆栈直逼100GB。BTyEETC-电子工程专辑

随着第三代HBM2E显存标准的发布,2020年的显卡市场也将变得更加热闹。NVIDIA将在今年推出全新的安培(Ampere)架构GPU,虽然消费级市场依然采用GDDR显存,但是高端的计算卡将会搭配全新的HBM2E显存,睇来更强的数据吞吐能力;AMD也计划在2020年推出支持实时光线追踪技术的RDNA2架构产品,旗舰起产品可能搭载HBM2E显存;另外,英特尔高性能计算卡、加速卡也可能会采用HBN2E显存。BTyEETC-电子工程专辑

责编:Yvonne GengBTyEETC-电子工程专辑

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