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格芯宣布完成22FDX技术开发,将用于量产eMRAM

时间:2020-03-03 作者:网络整理 阅读:
据外媒报道称,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。

据外媒报道称,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已经完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。qqkEETC-电子工程专辑

报道指出,eMRAM这种综合了RAM内存、NAND闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据,写入速度则数千倍于闪存,可以兼做内存和硬盘,甚至统一两者。同时很关键的是,它对制造工艺要求低,良品率也高得多,可以更好地控制成本,成品价格自然不会太离谱。qqkEETC-电子工程专辑

报道进一步指出,当前在市场上除了格芯外,另外还有包括英特尔、IBM、TDK、三星、希捷(SEAGATE) 等科技大企业多年来也一直都进行着eMRAM的研究。对此,格芯表示,使用其22FDX制程技术所生产的eMRAM测试芯片已经完成,在错误检查与纠正(Error Correcting Code;ECC) 的测试下,自-40°C到125°C的工作温度间,具有10万个周期的耐久性和10年的数据保持能力。qqkEETC-电子工程专辑

此外,GlobalFoundries的eMRAM测试产品还可以通过标准可靠性测试,包括LTOL(168小时)、HTOL(500小时)和5x焊料回流,故障率<1ppm,而生产中的的磁抗扰性问题也得到了有效解决。qqkEETC-电子工程专辑

责编:Yvonne GengqqkEETC-电子工程专辑

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