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GTAT携手安森美半导体签署生产和供应碳化硅材料协议

时间:2020-03-19 阅读:
近日,GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半导体(ON Semiconductor),宣布执行一项为期五年的协议,总价值可达5,000万美元。
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近日,GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半导体(ON Semiconductor),宣布执行一项为期五年的协议,总价值可达5,000万美元。根据该协议,GTAT将向高能效创新的安森美半导体生产和供应CrystX™碳化硅(SiC)材料,用于高增长市场和应用。

GTAT总裁兼首席执行官Greg Knight说:“我们很高兴与安森美半导体合作,该公司是提供电力电子应用的先进半导体领袖之一。我们今天的协议有助于解决SiC作为电力电子应用首选半导体基板材料的陡峭增长轨迹。”

安森美半导体全球供应链高级副总裁Brent Wilson说:“安森美半导体在大批量晶圆生产的40年经验结合GTAT在SiC晶体增长的专知及迅速发展,将创建一个强固、可扩展的供应链,支持活跃的大功率宽禁带市场。我们很高兴与GTAT合作,进一步开发SiC宽禁带材料技术,并增强我们在这快速发展领域的领先地位。”

高增长应用如电动汽车(EV)牵引系统、混合动力和插电式EV、太阳能和能源存储,以及EV充电等都需要并且依赖于高质量、具成本竞争力的SiC材料的稳定供应。安森美半导体将使用GTAT专有的150mm SiC晶体来制造SiC晶圆,以进一步加速成为SiC供应链中的垂直集成供应商,并维持其世界级的供应。该协议将促进领先业界的SiC的供应,以帮助工程师解决最独特的设计挑战。

责编:Yvonne Geng

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