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中芯国际14nm麒麟710A量产,荣耀手机搭载

时间:2020-05-12 作者:网络整理 阅读:
在中芯国际上海公司,几乎人手一台荣耀Play 4T。这款手机与华为商城线上出售的同款手机,有一个最大的不同点,就是背面丝印了SMIC 20(2000-2020)的Logo,以及一行文字标注:Powered by SMIC FinFET……
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近日据《科创板日报》报道,在中芯国际上海公司,几乎人手一台荣耀Play 4T。这款手机与华为商城线上出售的同款手机,有一个最大的不同点,就是背面丝印了SMIC 20(2000-2020)的Logo,以及一行文字标注:Powered by SMIC FinFETgNAEETC-电子工程专辑

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本土首个14nm量产处理器

2020年初时《电子工程专辑》曾报道,因为美国禁令等的原因,华为已经开始将14nm以上的订单从台积电转移到中芯国际,其中麒麟710A就是由中芯国际的14nm FinFET工艺打造。gNAEETC-电子工程专辑

据悉,原本麒麟710系列是在2018年7月份推出,首发搭载华为Nova 3i手机,由台积电12nm代工。这次荣耀Play 4T使用的麒麟710A是华为转单中芯国际后,首个实现商业化量产的处理器。gNAEETC-电子工程专辑

不过,此前华为、中芯国际和台积电都没有官方回应这次转单,“SMIC版荣耀4T”的亮相可谓坐实传闻。gNAEETC-电子工程专辑

麒麟710A算得上是一款从芯片设计、代工到封装测试环节全部国产化的手机芯片,有业内人人士评价它“是从0到1的突破。”gNAEETC-电子工程专辑

麒麟710和710A

麒麟710和710A都是麒麟首款7系列芯片,在性能定位上低于麒麟990以及麒麟820的,性能大概相当于骁龙660的水平,但是工艺比后者要好。麒麟710曾经定位是用在华为三千元左右的智能手机上,随着麒麟810的诞生,麒麟710转移到了千元机上面。gNAEETC-电子工程专辑

这次的千元机荣耀Play 4T采用6GB+128GB存储组合,电池容量为4000mAh,支持10W充电技术;借口上采用的是Micro-USB,起售价只有1199元,小编认为这也算是纯国产麒麟处理器的试水之作。gNAEETC-电子工程专辑

性能参数上,麒麟710主频2.2GHz,四颗A73 2.2GHz + 四颗A53 1.7GHz八核心设计,Mali-G51 MP4的四核心GPU;而麒麟710A相当于710的降频5G版,定位为入门级5G芯片,主频2.0GHz,这主要是为了减少漏电率和控制功耗。gNAEETC-电子工程专辑

两者相比,采用的Arm内核未变,工艺和主频略有差异。gNAEETC-电子工程专辑

未雨绸缪,华为转单中芯

此前,华为的手机移动端芯片都是在海思设计完成后,交由台积电代工制造。在2019年5月美国启动对华为的技术禁令后,台积电方面也开始被美国列为限制目标。gNAEETC-电子工程专辑

进入2020年,美国一度威胁将对华为的技术禁令升级:其将修改出口管制规定,将半导体元器件供货者应用源自美国技术的比例,从不高于25%的要求,降至10%,而台积电14nm生产线所采用的技术,源自美国的占比超过了10%。gNAEETC-电子工程专辑

据CINNO的数据显示,2020年一季度,华为海思麒麟芯片首次超过高通骁龙,居中国国内市场占有率第一。华为海思麒麟市场份额为43.9%,高通骁龙为32.8%。而2019年第四季度,高通骁龙仍以37.8%的市场份额领先海思麒麟的36.5%。gNAEETC-电子工程专辑

海思也在IC Insights的最新报告中,进入了全球排名前十的半导体厂商,其出货量稳定的背后,与华为加大海思芯片采用力度有密切关系。据了解,华为手机中搭载的海思麒麟处理器占比已高达90%,此前华为采用对半比例的骁龙芯片被大幅减少,目前华为手机基本都采用了自主研发的麒麟系列处理器以及海思品牌的视频编解码、图像处理、通信、射频、电源管理等芯片。gNAEETC-电子工程专辑

可见,一旦靴子落下,台积电无法为华为代工,会令华为终端无芯可用,措手不及。因此华为未雨绸缪,将自家芯片生产逐步从台积电转移到中芯国际。gNAEETC-电子工程专辑

据称,华为海思半导体在2019年底就安排部分工程师,开始联合中芯国际设计和生产芯片,资源方面也逐渐向中芯国际倾斜,而不再完全依赖台积电。gNAEETC-电子工程专辑

但目前还不清楚华为14nm芯片设计生产交给中芯国际的比例是多少。gNAEETC-电子工程专辑

可以不用EUV实现7nm?

据中芯国际官方,其14nm工艺于2019年底实现量产,目前已经成熟,后续还会有改进型的12nm、N、N+1。和台积电尚有一定差距,但是满足华为中端芯片的性能、产能需求已经不是问题。gNAEETC-电子工程专辑

今年 2 月份 2019 年 Q4 财报会上的上, 联席 CEO 梁孟松博士公开了中芯国际 N+1、N+2 代工艺的情况,《电子工程专辑》为此采访了专业人士,从参数上来看,这个n+1实际上就是台积电和三星的10nm节点,因为它只提升了20%的性能,远低于台积电计划的30%和实际的35%——业界现在以35%为市场基准。这样的性能提升不能被称为7nm,它更像三星的第二代10nm和第三代10nm(就是8nm)。gNAEETC-电子工程专辑

N+2与7nm的稳定性接近,但性能还是差一些。最关键的还是EUV,目前N+1阶段还不需要,虽然粱孟松博士曾在财报会中说中芯国际可以不用EUV光刻机实现7nm工艺,台积电第一代7nm(低功耗的N7)也没用EUV,但EUV对接近7nm的N+2阶段还是有促进作用的。gNAEETC-电子工程专辑

责编:Luffy LiugNAEETC-电子工程专辑

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