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三星重金在韩建六代V-NAND闪存生产线

时间:2020-06-03 作者:网络整理 阅读:
在上个月刚宣布在韩国平泽市(Pyeongtaek)建5nm EUV生产线后,6月1日,三星电子再宣布,为扩大其在NAND闪存芯片生产能力,已经在上个月开始建设新的NAND闪存芯片生产线,并计划在2021年下半年大规模生产最先进的100层以上3D-NAND(第六代V-NAND)产品,月产能预计……
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当地时间6月1日,三星电子宣布,将扩大其在韩国平泽市(Pyeongtaek)NAND闪存芯片生产能力,该生产线距离韩国首都首尔有两个小时的车程。

据路透社报道,三星电子已经在上个月开始建设这条新的NAND闪存芯片生产线,并计划在2021年下半年大规模生产最先进的100层以上3D-NAND(第六代V-NAND)产品,月产能预计2万片。

三星日前规画在韩国平泽新建工厂。(图自:三星)

三星断定5G、在家办公将促进NAND Flash销售

从进入21世纪以来,三星就一直是存储芯片行业的领导者,近期三星又实现了新的技术突破,业内首次多达160层的 V-NAND 闪存设计。它在拥有更高存储容量的同时,芯片密度更高,制造难度也更高。

三星此举是押注未来对个人计算机和服务器的需求,因为新冠病毒促使更多人在家工作。他们还表示,此次的投资旨在应对人工智能、物联网等引领的第四次工业革命,而且5G的普及也将会对于NAND闪存有极大的需求量,尽管最近由于疫情其推迟了在欧洲和其他国家部署5G网络的步伐。

韩国贸易部周一公告显示,由于在家工作趋势和在线课程推动了对服务器和个人电脑的需求,韩国5月份的芯片出口较上年同期增长7.1%,与此同时,中国个人电脑制造商恢复了生产,也推高了芯片价格。

DB Financial Investment分析师Eo Kyu-jin表示:“数据服务器客户可能会继续投资以增强其基础架构,以满足客户增加的在线活动带来的需求。”

三星电子存储全球营销副总裁 Cheol Choi 表示:“这次投资,再次证明了我们在存储技术领域所拥有的无可争辩的领导地位。即使在不确定的时刻,我们依然会继续为市场提供最佳的内存及闪存解决方案,同时为整个 IT 行业和经济增长做出贡献。”

5nm产线之后的又一大手笔投资

三星方面没有透露具体投资金额。分析师预计,投资范围将在7万亿韩元(约合57亿美元)至8万亿韩元(约合65亿美元)之间。而据韩国时报(Korea Times)报导,将花费8.5万亿韩元(约合69亿美元)。

在上月,三星电子已经在平泽投10万亿韩元扩建生产线,新产线专注于基于极紫外光刻(EUV)技术的5nm及以下工艺,而随着新产线建设,预计到明年下半年三星将会开始量产5nm芯片,月产能看上1万片。

算起来,三星在韩国本土已经拥有7条芯片制造产线,其中仅在平泽工业园区中,就有世界上两条最庞大的闪存及内存芯片生产线。除了这条最新的V-NAND生产线,另一条扩产计划是P2厂生产1z/1a纳米及拥有EUV工艺的DRAM产线,月产预计能2-3万片,投资金额将达15万亿韩元。

三星存储芯片生产基地分布(数据自中国闪存市场)

此外,三星还将在中国西安工厂增设第二条生产线,用于投产100层以下3D NAND(第五代V-NAND),该生产线计划于明年上半年投产。

在去年4月份,三星曾经提出过“半导体愿景2030”,他们计划在2030年对于系统芯片的研发和生产技术领域投资133万亿韩元(约合人民币7658亿元)。

三星V-NAND量产时间线(图自:三星官网)

责编:Luffy Liu

本文综合自三星官网、澎湃新闻、SamMobile、比特网报道

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