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三星发现非晶态氮化硼(a-BN),将加速下一代半导体材料问世

时间:2020-07-07 作者:网络整理 阅读:
三星高级技术学院(SAIT)的研究人员与蔚山国家科学技术学院(UNIST)、剑桥大学两家高校合作,发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料。此项研究已发表在《自然》杂志上,研究团队相信该材料有望加速下一代半导体材料的问世。
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7月6日,据三星电子官方新闻,三星高级技术学院(SAIT)的研究人员与蔚山国家科学技术学院(UNIST)、剑桥大学两家高校合作,发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料。此项研究已发表在《自然》杂志上,研究团队相信该材料有望加速下一代半导体材料的问世。

截图自Samsung Newsroom

三星表示,SAIT最近一直在研究和开发二维(2D)材料——只有一层原子的晶体材料。具体来说,研究所一直致力于石墨烯的研究与开发,并在该领域取得了突破性的研究成果,如开发了一种新型石墨烯晶体管,以及一种生产大面积单晶片级石墨烯的新方法。除了研究和开发石墨烯,SAIT一直致力于加速这种材料的商业化。

图自:Samsung Newsroom

该报道称,这种新发现的材料被称为非晶态氮化硼(a-BN),由硼和氮原子组成,为非晶态结构。非晶态氮化硼是由白色石墨烯衍生而来,其中硼原子和氮原子排列成六边形结构,而a-BN的分子结构实际上使其与白色石墨烯有独特之处。

SAIT石墨烯项目负责人、首席研究员Shin Hyeon-jin说:“为了增强石墨烯与硅基半导体工艺的兼容性,半导体衬底上的晶片级石墨烯生长应在低于400摄氏度的温度下进行。我们也在不断努力将石墨烯的应用扩展到半导体之外。”

无定形氮化硼具有一流的超低介电常数——1.78,具有较强的电气和机械性能,可作为互连隔离材料,以减少电干扰。也证明了这种材料可以在400摄氏度的低温下在晶圆片上生长。因此,非晶态氮化硼有望广泛应用于DRAM和NAND解决方案等半导体,特别是用于大规模服务器的下一代内存解决方案。

对此,SAIT副总裁兼无机材料实验室负责人Park Seong-jun表示,“最近,人们对2D材料及其衍生的新材料的兴趣越来越大。然而,在现有的半导体工艺中应用该材料仍存在许多挑战。我们将继续开发新材料,引领半导体领域的转变。”

近些年来SAIT在新型半导体材料上的研究成果:

 2012年:石墨烯压敏电阻器,一种具有栅极控制肖特基势垒的三极管器件(SAIT,《科学》杂志出版)

2014年:可重复使用的终止氢锗上单晶单层石墨烯的晶圆级生长(SAIT和成均馆大学,《科学》杂志出版)

2017年:实现Zachariasen连续碳单层膜(SAIT和成均馆大学,发表于《科学进展》上)

2020年:超低介电常数非晶态氮化硼(SAIT,UNIST和剑桥大学,发表在《自然》杂志上)

责编:Luffy Liu

本文综合自三星官网、BusinessKorea、wccftech报道

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