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台积电2nm研发取得重大突破,将导入GAA技术

时间:2020-07-14 作者:网络整理 阅读:
据台湾媒体报道,台积电冲刺先进制程,在2nm研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。
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据台湾媒体报道,台积电冲刺先进制程,在2nm研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。eG2EETC-电子工程专辑

台媒称,三星已决定在3nm率先导入GAA技术,并宣称要到2030年超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位,台积电研发大军一刻也不敢松懈,积极投入2nm研发,并获得技术重大突破,成功找到切入GAA路径。eG2EETC-电子工程专辑

报导指出,虽然台积电自 2019 年公布,将以数百人的研发团队正式投入 2 纳米的技术研发以来,至今没有公布 2 纳米制程节点会选择沿用 FinFET 技术,或者是改用 GAA 技术。eG2EETC-电子工程专辑

不过,根据相关供应链表示,因为 FinFET 技术将自 3 纳米以下会面临技术瓶颈,因此台积电才会在 2 纳米选择采用 GAA 的技术。eG2EETC-电子工程专辑

另外,因为竞争对手三星已经宣布自 3 纳米的制程节点开始,就采用 GAA 的技术,台积电的时程显然落后三星,不过市场人士指出,就之前台积电也较三星晚采用极紫外光刻设备,但在制程良率上仍领先三星的情况下,台积电采取稳扎稳打的务实性做法,于 2 纳米才采用 GAA 技术而落三星一个世代,预计还是能持续维持其优势的地位。eG2EETC-电子工程专辑

报导进一步指出,这次台积电能在 2 纳米制程节点上有所突破,归功于台积电挽留了 3 年前即要退休的台积电最资深副总经理罗唯仁。在他带领的团队为制程技术研发进行了突破,才有了当前的成果。为此,罗唯仁还为团队举行了庆功宴,感谢研发工程师全心投入。eG2EETC-电子工程专辑

而根据日前台积电的公告,预计 2021 年动工,将于美国亚利桑那州设置的 12 吋厂将以 5 纳米制程为主,并将于 2024 年投产,月产能达到 2 万片的产能。eG2EETC-电子工程专辑

而这时间点对照目前台积电先进制程的发展计划,届时台积电在台湾部分已经 2 纳米进入投产阶段,使得整体美国厂的完工,届时将对台积电在台湾的先进制程订单不会有所影响。eG2EETC-电子工程专辑

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产,业界以此推断,台积电2nm推出时间将在2023年到2024年间。eG2EETC-电子工程专辑

此外,日前也外传,竞争对手三星也宣布将放弃 4 纳米的制程,直接投入 3 纳米制程与台积电面对面竞争。市场人士也表示,就台积电一旦真的如其在 2023 年到 2024 年间量产 GAA 技术的 2 纳米制程,则三星想在 3 纳米制程弯道超车的状况,将会难上加难。eG2EETC-电子工程专辑

责编:Yvonne GengeG2EETC-电子工程专辑

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