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纳芯微推出隔离采样系列芯片应对复杂高压系统的电压和电流检测

时间:2020-07-30 作者:纳芯微电子 阅读:
NSi13xx芯片的抗共模瞬态干扰度(CMTI)达到150kV/μs,并具有良好的精确性和紧凑的封装设计,适合于电机驱动、光伏逆变器、不间断电源等工业应用和车载充电器(OBC)、牵引逆变器等汽车应用中高压侧的电流和电压采样。
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国内领先的信号链芯片及其解决方案提供商苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)宣布推出针对高压系统中电流和电压检测的NSi13xx系列隔离采样芯片。NSi13xx芯片的抗共模瞬态干扰度(CMTI)达到150kV/μs,并具有良好的精确性和紧凑的封装设计,适合于电机驱动、光伏逆变器、不间断电源等工业应用和车载充电器(OBC)、牵引逆变器等汽车应用中高压侧的电流和电压采样。HsOEETC-电子工程专辑

HsOEETC-电子工程专辑

在工业和汽车应用的高压电流检测中,通常采用基于霍尔的电流传感器和基于分流器的采样两种方案。前者具有天然的隔离特性,而后者需要增加隔离运放或调制器来进行电气隔离。相较而言,基于分流器加隔离运放/调制器的采样方案具有更高的精度和更低的非线性度,同时失调电压和失调电压温漂较低,且不易受到外部磁场的干扰,是更易被工程师选择的方案。HsOEETC-电子工程专辑

NSi13xx系列电流采样芯片包括增强隔离型运放NSi1300、NSi1200以及增强隔离型Sigma-delta调制器NSi1306,其具有的差分输入结构适用于上述基于分流器的电流检测方案,如相电流检测等。NSi1311的高输入阻抗和2V的线性输入范围则适合于电压检测方案,如直流母线电压检测。HsOEETC-电子工程专辑

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图:NSi1300功能框图HsOEETC-电子工程专辑

纳芯微NSi13xx隔离采样系列芯片可在–40℃至 +125℃的宽温度范围内正常运行,全系列产品均提供SOP8(300mil)封装形式。此外,NSi1306提供SOP16(300mil)封装、NSi1200提供DUB8封装供客户选择。在此基础上,纳芯微提供灵活的封装定制化服务以满足客户的多种替代需求。HsOEETC-电子工程专辑

附NSi13xx系列产品特点:HsOEETC-电子工程专辑

  • 低失调电压及其温漂
  • 低增益误差及其温漂
  • 低非线性度
  • 高达150kV/μs的CMTI
  • 内部集成诊断功能,提供failsafe输出
  • 宽工作温度范围:-40~125℃

其中,HsOEETC-电子工程专辑

NSi1300产品特点:HsOEETC-电子工程专辑

  • 8.2倍增益(250mV输入版本)或41倍增益(50mV输入版本)
  • 模拟差分输入、模拟差分输出

NSi1306产品特点:HsOEETC-电子工程专辑

  • 模拟差分输入、数字比特流输出
  • 支持5M~21MHz时钟输入

NSi1200产品特点:HsOEETC-电子工程专辑

  • 8倍增益
  • 限制带宽100kHz
  • 模拟差分输入、模拟差分输出

NSi1311产品特点:HsOEETC-电子工程专辑

  • 高达1GΩ的输入阻抗
  • 0.1~2V线性输入范围,增益为1
  • 模拟单端输入、模拟差分输出

样品申请与产品咨询:

请发邮件至sales@novosns.com 索取关于NSi13xx隔离采样系列芯片的更多信息。HsOEETC-电子工程专辑

关于纳芯微

国内领先的信号链芯片及其解决方案提供商,致力于成为传感器、功率信号链以及接口类芯片的行业领导者和国内领先的汽车级芯片提供商。如需了解更多信息,敬请访问www.novosns.com。HsOEETC-电子工程专辑

责编:Yvonne GengHsOEETC-电子工程专辑

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