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提高半导体性能&降低功耗,中科院在材料领域取得进展

时间:2020-11-13 作者:中科院微电子所 阅读:
传统的三维半导体材料表面存在大量的悬挂键,可通过捕获和散射等方式影响和限制自由载流子的运动,因此表面态的设计、制造和优化是提高三维半导体器件性能的关键因素
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据中科院微电子所重点实验室消息,微电子所和物理所近日在器件物理领域取得重要进展。

传统的三维半导体材料表面存在大量的悬挂键,可通过捕获和散射等方式影响和限制自由载流子的运动,因此表面态的设计、制造和优化是提高三维半导体器件性能的关键因素。类似于三维半导体材料的表面态,单层二维材料(如二硫化钼和石墨烯)在边界原子的终止和重建可以产生边界态,这使二维材料产生了许多独特的现象,使其得到广泛的应用。 

针对此现象,微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士和李泠研究员的科研团队与中科院物理所、北京理工大学、美国加州大学洛杉矶分校合作,对单层MoS2/WSe2晶体管进行了器件测试、扫描隧道显微镜实验观测和第一性原理计算,发现二维材料的边界态是控制器件亚阈值特性及影响器件迁移率的关键因素,并在国际上首次提出这种边界态是拉廷格液体的物理本质。该科学发现对于研究器件性能优化和低功耗应用具有一定的意义。 

该工作以《Possible Luttinger liquid behavior of edge transport in monolayer transition metal dichalcogenide crystals》为题发表在 Nature Communications期刊上(DOI: 10.1038/s41467-020-14383-0)。微电子所博士后杨冠华和物理所邵岩博士为该文章第一作者,微电子所刘明院士、李泠研究员、北京理工大学王业亮教授和美国加州大学洛杉矶分校段镶锋教授为共同通讯作者。 

  上述工作得到了国家自然科学基金委、科技部、中科院等相关项目的资助。 

  全文链接:https://www.nature.com/articles/s41467-020-14383-0#citeas 

图a.二维材料边界电导比例与温度、栅压关系。图b. I/T1+α与qV/kBT关系。图c. STS能谱。

责编:Luffy Liu

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