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长鑫19nm DDR4内存芯片良率已达75% ,17nm工艺爬升中

时间:2021-07-30 作者:综合报道 阅读:
内存技术上,长鑫量产的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工艺,此前一直没有公布具体细节,日前兆易创新在一次会议上透露长鑫的19nm工艺良率已达75%。
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2019年9月份,合肥长鑫量产了国内首款DDR4内存芯片。据悉,截至 2020 年底,合肥长鑫 12 英寸存储器晶圆制造基地项目提前达到预期产能,实现了从投产到量产再到批量销售的关键跨越。

两年来,长鑫的DRAM颗粒已经在多个国产内存品牌中商用,性能、价格都收获了不错的反馈。

资料显示,合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元,选址位于合肥空港经济示范区,占地面积约15.2平方公里,由长鑫12吋存储器晶圆制造基地(以下简称“基地”)、空港集成电路配套产业园、空港国际小镇三个片区组成。

其中,长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一个投入量产的DRAM设计制造一体化项目,也是安徽省单体投资最大的工业项目,总投资约1500亿元;空港集成电路配套产业园,位于基地以西,总投资超过200亿元;合肥空港国际小镇位于基地以北,规划土地面积9.2平方公里,规划总建筑面积420万平方米,总投资约500亿元。

内存技术上,长鑫量产的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工艺,此前一直没有公布具体细节,日前兆易创新在一次会议上透露长鑫的19nm工艺良率已达75%。

75%的良率在业内不算顶尖水平,不过考虑到长鑫生产内存不到2年时间,现在的良率表现已经不错了,制造出来还是能保证毛利的。

此外,从长鑫的规划日程来看,预计将于 2021 年完成 17nm 的工艺研发,并进一步加速向 DDR5 DRAM 产品研发迈进。17nm的具体良率尚未公布,但猜测目前会比较低,还在爬升中。

安徽省经济和信息化厅去年曾印发《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》,要求实现中高端移动、平板及消费类产品 DRAM 存储芯片的自主可控;研发出更先进的 LPDDR5 并实现产业化;14/15nm 工艺研发等。此次官方的 DRAM 发展任务显然是落在了长鑫头上,而官方为企业指定的计划时间是 2-3 年,但根据长鑫此前的路线图,早已开始研发下一代 DDR5/LPDDR5 内存等工艺技术,预计有望三年内攻坚 LPDDR5 内存。

责编:Luffy Liu

本文内容参考cnBeta、IT之家

  • 中国人不应该支持自己么,素质低下
  • 还三年攻坚,还不是照着人家淘汰开源的方案抄一抄学一学,再改一改,真攻坚你就自己发明个纯原创的新内存技术。
  • 量产就不容易,加油!
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