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将SiC晶圆掌握在自己手里,安森美拟4亿美元收购GTAT

时间:2021-08-27 作者:EETimes China 阅读:
安森美半导体在与GTAT达成交易之前,大部分用于SiC芯片中的晶圆都是从外部供应商采购的。上述交易将能让安森美半导体扩增SiC货源,并满足客户不断增长的对可持续生态系统中基于SiC的解决方案的需求,包括电动车、电动车充电和能源基础设施。
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8月25日,智能电源和传感技术的供应商安森美半导体(Onsemi)宣布收购碳化硅(SiC)供应商GT Advanced Technologies(以下简称“GTAT”),交易金额为4.15亿美元。该交易已获得安森美半导体和GTAT董事会的一致批准,预计将于2022年上半年完成,不过还取决于监管部门的批准和其他惯例成交条件。

SiC是第三代半导体的关键材料,可显着提高电动车(EV)、电动车充电和能源基础设施的系统效率。近年来以SiC和GaN为首的宽禁带半导体逐步颠覆功率器件市场,根据Omdia的预测,功率分立器件市场规模2024年增长至172亿美元,相比2020年增长近18%。而宽禁带器件则会由2020年5%的市场占比增长到2024年的大约17%。

据悉,GTAT成立于1994年,在SiC等晶体生长领域具有丰富的经验。安森美半导体在与GTAT达成交易之前,大部分用于SiC芯片中的晶圆都是从外部供应商采购的。上述交易将能让安森美半导体扩增SiC货源,并满足客户不断增长的对可持续生态系统中基于SiC的解决方案的需求,包括电动车、电动车充电和能源基础设施。

此外,安森美半导体还计划投资扩大GTAT的研发工作,以推进150mm和200mm SiC晶体生长技术,同时还投资更广泛的SiC供应链,包括晶圆厂 (Fab)产能和封装。

此次交易是安森美半导体进一步打入电动汽车领域的重大举措。

安森美半导体总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury表示:“此次交易展示了我们对碳化硅解决方案进行投资的信心和承诺,不断支持智能电源和传感技术创新,从而助力建立可持续的未来。我们致力于强化我们在汽车领域的主导地位,并不断深化在汽车和工业领域的技术创新。而GTAT在开发可用于晶圆加工的碳化硅方面具有卓越的技术和专业知识。因此我们计划加速并扩展这些技术,从而更好地为快速增长的终端客户提供支持。我们期待GTAT才华横溢的员工加入安森美团队,共同推动创新。”

GTAT总裁兼首席执行官Greg Knight表示:“此次收购标志着GTAT新篇章的开始,也证明了我们团队的价值。安森美可以扩大我们的能力,并提供资源和平台,从而最大限度地发挥我们前沿生产技术的潜力,并确保我们始终保持在先进晶体生长相关技术的领先地位。”

此次收购还加强了安森美对颠覆性、高增长技术进行重大投资的承诺,这与公司最近在其财务分析师日宣布的2025年目标财务模型相一致。正如安森美之前所说,由于公司投资以推动差异化和领先地位,包括在SiC领域的投资,预计2022年和2023年的资本支出将占收入的12%左右。预计该交易不会影响公司2025年的目标财务模型。

安森美打算用手头的现金和现有的循环信贷为这项交易提供资金。公司预计该交易将在短期内略微稀释其非 GAAP 每股收益,并在交易完成后一年内增益。

截止发稿,安森美半导体盘前跌1.75%,报43.51美元。

巨头纷纷入局SiC

就在不久前,富士康宣布以9000多万美元收购旺宏旗下的一家200mm晶圆制造厂,富士康董事长刘扬伟表示,收购完成后,“鸿海将用来开发与生产第三代半导体,特别是电动车使用的碳化硅(SiC)功率元件,这将是我们在3+3策略中,整合EV与半导体发展的重要里程碑。”

数据显示,目前全球SiC硅晶圆总年产能约在40-60万片,而且同时期的硅晶圆已经由200mm向300mm进发,但碳化硅晶圆的主流尺寸还是150mm,每片晶圆能制造的芯片数量不大,远不能满足下游需求。

当前以SiC为代表的第三代半导体现在正从150mm转至200mm工艺,富士康布局时间点上恰逢其时。除了富士康,传统的SiC大厂们也早已行动起来:

国内外主流SiC大厂扩产计划

厂商

事件

科锐

2019年宣布计划2019-2024年投资7.2亿美元,将SiC材料及晶圆产能扩充30倍。包括建造一座车规级200mm功率及射频晶圆工厂,以及扩产超级材料工厂。计划2024年200mm SiC晶圆工厂规划达产;

2020年宣布未来5年投资10亿美元,扩展SiC衬底生产线

罗姆

2021年1月其筑后工厂新厂房竣工,预计2022年投产,以满足电动车等用途SiC电源控制芯片产能。计划到2025年投资850亿日元,预计届时产能将提升16倍

英飞凌

与GT Advanced Technologies在2020年签订SiC晶棒约5年期供货合同;与昭和电工在2021年先后签订SiC晶棒2年期供货合同

高意集团(Ⅱ-Ⅵ)

2020年宣布计划将150mm SiC材料的产能扩大5-10倍,同时扩大差异化200mm材料技术的批量生产,以满足未来5年的预期需求

比亚迪

此前宣布将在2023年全方位采用SiC替代,预计在2025年全面用SiC取代硅基IGBT

博世集团

2020年开始在德国生产专门用于电动汽车的新一代SiC芯片

斯达半导

今年3月宣布,拟非公开发行股票募资不超过35亿元,其中20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目

天科合达

正在新建一条400台/套SiC单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的SiC衬底生产线。2020年8月开工,计划2022年初投产

山东天岳

子公司上海天岳将于2021年7月下旬开工建设临港SiC半导体材料项目,预计投产日期为2022年,达产日期为2026年6月

露笑科技

其合肥SiC工厂一期预计在今年9月实现150mm SiC衬底片的小批量试产

三安光电

湖南三安半导体基地一期项目今年6月正式投产,可与产3万片150mm SiC晶圆

据不完全统计,未来2-5年内碳化硅产能仍将继续增加(数据自《科创板日报》、芯思想)

虽然在SiC市场上,IDM(集成器件制造商)占据主导地位,SiC代工公司也不甘落后,希望能够复制成功的硅代工厂的模式。德国X-Fab、英国Clas-SiC(150mm)、韩国YES POWERTECHNIX(YPT)以及中国台湾的汉磊(Episil)、厦门三安(SANAN)、芜湖启迪(TUS SEMI)都希望从中分到一杯羹。

责编:Luffy Liu

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