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英韧科技12纳米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX闪耀发布

时间:2021-09-10 14:33:49 阅读:
在DRAM成本增加,PC OEM和渠道市场面临巨大成本压力的市场环境下,RainierQX将成为目前无DRAM控制器的最佳解决方案。
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继2020年在全球范围内率先量产12纳米PCIe4.0 SSD主控芯片Rainier IG5236及IG5636(企业级)后, 英韧科技于2021年9月7日发布Rainier系列全新产品——12纳米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX。

RainierQX采用四通道PCIe Gen4接口,支持4个NAND通道,每个通道最多8个CE片选通道,全面支持NVMe1.4协议。RainierQX还具有以下优势:

●采用业界领先的技术,通过独立平层访问,以实现极致高速的读取访问,并在有限的芯片数量的情况下,有效提高4K随机读取性能高达1M IOPs以上;

●顺序读取性能超过7GB/s,顺序写入性能超过6GB/s;

●专有ECC解决方案采用先进的4K LDPC技术,为最新的TLC和QLC提供卓越的纠错能力,并提供功耗感知多级解码策略;

●超大SSD容量高达4TB。

值得一提的是,RainierQX具有增强的12纳米FinFET设计的无DRAM架构,英韧科技董事长兼首席执行官吴子宁博士表示:“在DRAM成本增加,PC OEM和渠道市场面临巨大成本压力的市场环境下,RainierQX将成为目前无DRAM控制器的最佳解决方案。

RainierQX在提供低功耗、实现更低BOM成本的同时,因采用业界最快的2400MT/s NAND通道接口和专有数据路径加速器,仍可以提供与DRAM解决方案相同的峰值性能,这使得该方案明显优于同类产品中的其他解决方案。”

自成立以来,英韧科技致力于通过提供高性能、低功耗、安全、可靠的存储控制芯片,解决人工智能和其他大数据应用中的数据存储和数据传输问题。面对市场的多元变化,英韧科技已做好充分准备,专注目标,持续深耕,赋能产业,助力存储技术的更快发展。

责编:Amy Guan

本文为EET电子工程专辑 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
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