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UnitedSiC推出RDS(on)只有6mΩ的750V SiC FET

时间:2021-09-16 07:44:37 阅读:
UnitedSiC的第4代SiC FET采用“共源共栅”拓扑结构,其内部集成了一个SiC JFET,并与一个硅MOSFET封装在一起。两者结合起来可以提供宽禁带技术的全部优势—在实现高速和低损耗以及高温工作的同时,还可保持简单、稳定和鲁棒的栅极驱动,并具有集成的ESD保护。
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美国碳化硅半导体制造商UnitedSiC最新发布的第四代SiC FET 器件UJ4C/SC将RDS(on)做到了6m Ω,是目前同类650V和750V SiC FET产品的最小导通电阻。该系列器件的栅极开启门限VTH = 5V,栅极驱动为0-12V,其栅极驱动兼容典型的SiC MOSFET、Si IGBT 以及 Si MOSFET。此外,这款6m Ω器件还具有5uS的短路耐受能力。

6m Ω是目前业界最低的Rds(on)

 最低Rds(on)的SiC FET还具有低至5us的短路持续时间(SCWT)。

UnitedSiC扩展的750V SiC FET器件系列。

UnitedSiC最新发布的750V SiC FET系列UJ4C/SC 器件有9种新器件/封装选项,RDS(on)额定值为6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封装的选择,同时18、23、33、44和60mΩ器件还提供了采用TO-247-3L封装选项。

UnitedSiC的第4代SiC FET采用“共源共栅”拓扑结构,其内部集成了一个SiC JFET,并与一个硅MOSFET封装在一起。两者结合起来可以提供宽禁带技术的全部优势—在实现高速和低损耗以及高温工作的同时,还可保持简单、稳定和鲁棒的栅极驱动,并具有集成的ESD保护。这些优势可通过品质因数(FoM)进行量化,例如RDS(on)×A,这个指标衡量每单位芯片面积的传导损耗。在这一指标上,第4代SiC FET在高低裸片温度下均可达到市场最低值。

RDS(on)×EOSS/QOSS这一FoM指标在硬开关应用中很重要,第4代SiC FET的这个值是最接近同类产品的一半。RDS(on)×COSS(tr)则在软开关应用中至关重要,如果将UnitedSiC额定电压为750V的器件与同类额定电压为650V的器件相比,前者的这个值比后者还低约30%。对于硬开关应用,SiC FET的集成体二极管在恢复速度和正向压降方面优于同类Si MOSFET或SiC MOSFET技术。第4代技术中所包含的其他优势还体现在,先进的晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺降低了从裸片到外壳的热阻。这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出,同时实现低芯片温升。

新的UnitedSiC SiC FET凭借其在开关效率和导通电阻方面的最新改进,非常适合具有挑战性的新兴应用。其中包括电动汽车中的牵引驱动器、车载和非车载充电器,以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器,以及所有AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段。成熟的应用也可以利用其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。

在电动车应用方面,UnitedSiC的第4代SiC FET可提升车载充电器OBC、DC/DC系统、驱动系统和无线充电应用的设计灵活性。

在IT基础设施的供电应用方面,第4代SiC FET可提升图腾柱PFC的设计灵活性。

责编:Amy Guan

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