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拓荆科技科创板上市,国内唯一一家商业化应用PECVD、SACVD半导体制造设备

时间:2022-04-20 16:21:56 作者:EETimes China 阅读:
从设备具体类别来说,拓荆科技聚焦半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大核心设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,是国内唯一一家……
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4月20日,拓荆科技股份有限公司(以下简称“拓荆科技”)首次公开发行股票并在上海证券交易所科创板上市,本次发行3,161.98万股,发行价格71.88元,发行后总股本12,647.8797万股。

拓荆科技此次上市的保荐机构为招商证券股份有限公司。公司募集资金22.73亿元,将用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目、补充流动资金。

拓荆科技募资方向与使用安排(来源:拓荆科技招股书)

资料显示,拓荆科技成立于2010年,由中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司和孙丽杰分别出资 600 万元和 400 万元,持有拓荆有限 60% 和 40% 的股权。公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。

国内半导体薄膜沉积设备龙头

从设备具体类别来说,拓荆科技聚焦半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大核心设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商,也是国内主要的量产型ALD设备供应商。

近年来,半导体设备行业总体呈现增长趋势,根据 SEMI 统计,全球半导体设备销售额从2014年的约375亿美元增长至2020年的712亿美元,年均复合增长率约为11.28%。2020年中国大陆地区半导体设备销售规模达187.2亿美元,同比增长39%,首次超过中国台湾地区,成为全球第一大半导体设备市场。

薄膜沉积是芯片制造的核心工艺环节,晶圆厂通过这种技术制造芯片衬底上的微米或纳米级薄膜材料层。薄膜沉积设备和光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造的三大主设备。目前这一市场呈现出高度垄断的竞争局面,基本被应用材料(AMAT)、泛林半导体(Lam)、东京电子(TEL)等国际龙头占据,是国产半导体的“卡脖子”环节。

以2019年为例,ALD设备龙头东京电子(TEL)和先晶半导体(ASMI)分别占据了全球31%和29%的市场份额;而应用材料(AMAT)则基本垄断了PVD市场,占85%的比重;在CVD 市场中,应用材料(AMAT)、泛林半导体(Lam)和 TEL三大厂商占据了全球70%的市场份额。

图自:Gartner、华创证券

拓荆科技相关负责人表示,薄膜沉积设备技术门槛高,研发难度大,生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标,还需要对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试,以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。因此,下游客户对薄膜沉积设备技术要求高,对于新兴厂商而言,需要具备强大的技术能力才能获取客户信任。

“公司立足自主创新,先后承担多项国家重大科技专项课题,在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术,并达到国际先进水平。” 拓荆科技表示,公司拥有先进的薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术等,不仅解决了薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题,还在保证薄膜工艺性能的同时提升了客户产线的产能,大大减少了生产成本。

十年历程

2011 年,拓荆科技首台 12 英寸 PECVD 设备就出厂到中芯国际进行验证。2013 年,拓荆科技的 PECVD 设备 PF-300T 通过中芯国际产品线测试,并于次年收获中芯国际首个量产机台 PF-300T 的订单;

2015 年度,公司向长江存储子公司武汉新芯集成电路制造有限公司发出第一台设备。2016 年,公司向长江存储发出第一台设备;

2017 年 6 月,公司向上海华力微电子有限公司和 ICRD 各发出一台设备。2019年度向上海华力集成电路制造有限公司和华虹无锡各发出一台设备;

招股书披露,拓荆科技已于 2018 年向某国际领先晶圆厂发货了一台 PECVD 设备用于先进逻辑芯片制造研发产线。2020 年,该晶圆厂向拓荆科技增订一台设备,用于其先进制程试产线。

拓荆科技主要产品演变和技术发展情况(来源:拓荆科技官网)

经过十多年的技术积累,拓荆科技已形成覆盖20余种工艺型号的薄膜沉积设备产品,可以适配国内先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线,满足下游集成电路制造客户对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。其中,PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序,并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺,一举打破了薄膜沉积设备长时间被欧美和日本厂商垄断的局面。

大基金是大股东,中芯国际是大客户

最近两年,公司第一大股东所持股股权比例不足控股,其他股东持股比例相对分散,使得公司不存在控股股东。截至招股说明书签署日,公司不存在实际控制人,最近两年内公司无实际控制人的情形未发生变化。

但值得注意的是,国家集成电路基金为其第一大股东,直接持股26.48%;国投上海和中微公司分别持有公司18.23%、11.20%股份。

拓荆科技股本结构(来源:拓荆科技招股书)

报告期内,拓荆科技呈增长趋势,2018 年至 2021 年 1-9 月各期营收分别为 7064.40 万元、2.51 亿元、4.36 亿元和 3.74 亿元,近三年复合增长率达 148.32%。随着营收的增长,拓荆科技亏损逐步减少,并在 2021 年前 9 个月实现扭亏为盈。其 2018 年、2019 年、2020 年和 2021 年 1-9 月净利润分别为-1.03 亿元、-1936.64 万元、-1169.99 万元和 5704.87 万元。

截至2021年12月31日,公司总资产251,772.82万元,2021年实现营业收入75,796.09万元,归属于母公司所有者净利润6,848.65万元,扣除非经常性损益后归属于母公司所有者净利润-8,200.19万元。

根据拓荆科技官网,公司曾3次获得中国半导体行业协会颁发的“中国半导体设备五强企业”称号,产品已成功应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、厦门联芯、燕东微电子等行业领先集成电路制造企业生产线,产品技术参数已达到国际同类设备水平,并已展开10nm(纳米)及以下制程产品验证测试。

拓荆科技 2018 年-2021 年前 9 个月前五大客户(来源:拓荆科技招股书)

少数“亏钱”还上涨的半导体概念股

对于2018年至2020年拓荆科技未实现盈利的原因,主要是由于半导体设备行业技术含量高,研发投入大,产品验证周期长,公司持续进行了大量的研发投入。

报告期各期,拓荆科技研发投入分别为 1.08 亿元、7431.87 万元、1.23 亿元和 1.30 亿元,分别占各期营收的 152.84%、29.58%、28.19% 和 34.65%。由于 2018 年拓荆科技营收较少,其研发投入占比超过 100%。可以看出期研发投入占比较高,且高于同行业可比公司平均水平。

据悉,拓荆科技将借登陆科创板重要契机,进一步提升科技研发能力,提高产品性能和技术水平,不断做强主业,将公司打造成半导体制造薄膜沉积设备领军企业,打破国际厂商对国内市场的垄断。

截至收盘发稿,拓荆科技股价上涨28.41%,收报92.30元/ 股,市值116.7亿元人民币,是为数不多近期发行后上涨的半导体概念股。

业内人士分析,这主要是因为半导体专用设备是国家高度重视和重点支持的战略新兴行业,像拓荆科技这类具备“硬科技”属性的高新技术企业,其发行上市获取资本助力,既符合科创板“硬科技”板块的定位,也契合国家发展战略,具有借助资本市场实现跨越式发展的正面示范效应。

本文内容参考拓荆科技招股书、中国经济网、沈阳日报、证券时报报道

责编:Luffy
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