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ASML新一代EUV光刻机设备定价高达27亿元

时间:2022-05-23 15:40:08 作者:综合报道 阅读:
半导体设备巨头ASML的新一代High-NA EUV设备订价约4亿美元,折合27亿人民币。据悉该设备精密度更高、所使用的零部件更多,机型比上一代大出30%,大小如同双层巴士。
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据路透社报导,半导体设备巨头ASML的新一代High-NA EUV设备订价约4亿美元,折合27亿人民币。据悉该设备精密度更高、所使用的零部件更多,机型比上一代大出30%,大小如同双层巴士。

在2022年3月23日, 美国消费者新闻与商业频道(CNBC)发布了针对全球光刻机龙头ASML的采访视频,除了展示了ASML的EUV光刻机工厂外,还曝光了ASML新一代高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机EXE:5000系列。

为克服技术挑战,ASML正与全球最大的微电子研发机构IMEC共同建立测试实验室。据悉,ASML原型机将在2023年上半年完成。

ASML对外表示,2021年第四季度已收到5个预定High-NA EUV的订单。

早在2021年7月,Intel就表态致力于成为高NA光刻机的首个客户,Intel营销副总裁Maurits Tichelman重申了这一说法,并将高NA EUV光刻机视为一次重大技术突破。

半导体制造设备可以分为前道设备和后道设备。其中,前道制造设备主要包括光刻机、涂胶显影设备、刻蚀机、去胶机、薄膜沉积设备、清洗机、CMP设备、离子注入机、热处理设备、量测设备;后道制造设备主要包括减薄机、划片机、装片机、引线键合机、测试机、分选机、探针台等。

有统计数据显示,光刻工艺是晶圆制造过程中占用时间比最大的步骤,约占晶圆制造总时长的40%-50%。可以说,如果没有光刻机,芯片便无法制造。

荷兰的ASML公司是全球光刻机领域的翘楚,也是全球唯一一家极紫外光微影技术光刻机的公司。ASML推进的High-NA 曝光技术正是延续摩尔定律的关键所在。

当前半导体的工艺制程已经推进到3纳米,台积电正在向1纳米冲击。而要实现这些先进工艺,则离不开高端的光刻机。

ASML发言人曾向媒体介绍,更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺,将极度依赖高NA EUV光刻机。

当然,ASML并不能独立做出高NA EUV光刻机,还需要德国蔡司以及日本光刻胶涂布等重要厂商的支持。

ASML现售的0.33NA EUV光刻机拥有超10万零件,需要40个海运集装箱或者4架喷气货机才能一次性运输完成,单价1.4亿美元左右。

此次新一代High NA EUV光刻机可以减少对微电路的绘制次数。其特点是将透镜的数值孔径(NA)从0.33提高到0.55。这就减少了刻有电路图案的掩模的数量,从而降低了成本并缩短了工艺时间。

责编:Amy.wu
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