电子工程专辑讯，近日据路透社、韩联社、BusinessKorea报导，三星发布声明指出，李在镕在6月14日与Wennink及ASML多名高层举行广泛会谈，极紫外光(EUV)微影设备能否流畅供应是讨论重点。三星声明称，EUV微影设备对于下一代半导体生产工艺不可或缺。
三星表示，李在镕也跟ASML高层讨论了芯片市场前景及科技趋势。三星并未透露ASML将供应的额外EUV微影设备细节。
另外，李在镕6月14日还跟荷兰总理Mark Rutte会面，讨论强化半导体晶圆代工能力的合作事宜，并探讨要如何解决全球半导体供应链问题。三星表示，李在镕要求Rutte提供支持，确保ASML能稳定供应EUV微影设备。
韩国媒体Businee Korea强调，三星必须确保EUV设备的稳定供给，才能机会超车台积电，抢下全球晶圆代工龙头宝座。ASML独家生产的EUV微影设备是先进工艺关键，每台要价高达1.6亿美元，每年生产制造的数量有限，三星、台积电及英特尔皆因此面临生产瓶颈。
三星电子2000年代开始与ASML在半导体制程与设备开发方面进行合作。2012年，三星投资ASML股票，强化与ASML的伙伴关系。2016年11月，ASML首席执行官Wennink率领高阶主管访问三星，介绍下一代EUV设备技术，同时分享中长期投资计划。
台积电是ASML最大客户，三星很难可以比台积电拿到更多的设备。据台湾省的元大宝来证券分析师Lee Jae-yun先前曾提到，三星今年估计可取得18台EUV微影设备，高于去年的15台及2020年的8台。
先进芯片恐缺20%
延烧两年的半导体短缺问题，先前仅局限于较成熟工艺(冲击车用、家电市场)，如今问题可能蔓延世界最先进芯片。分析人士警告，2024年先进芯片的供给缺口恐高达20%。
华尔街日报6月9日报导，消息人士透露，部分台积电客户收到警告，指该公司明(2023)年及2024年的扩产速度或将不如预期，难以取得制造设备是主因。受到成熟工艺芯片短缺冲击，芯片制造设备的交货时间遭推迟。
调研机构IBS首席执行官Handel Jones预测，3纳米、2纳米面临的需求高涨、设备短缺问题恐怕更严重。他估计，2024-2025年，2-3纳米芯片的供给缺口可能会达10-20%。
ASML的High-NA EUV光刻机进展
在ASML 披露2022 年第一季度的财报时，称其已经收到了多个客户的 High-NA Twinscan EXE:5200 系统 (EUV 0.55 NA) 订单。
据路透社援引ASML澄清说明，ASML已经获得了 5 个 High-NA 产品的试点订单，预计将于 2024 年交付，并有着“超过 5 个”订单需要从 2025 年开始交付的具有“更高生产率”的后续型号。
早在 2020-2021 年，ASML 就表示已经收到了三家客户的 High-NA 意向订单，共提供多达 12 套系统。目前可以肯定的是，英特尔、三星和台积电必然会拿下2020-2021 年预生产的 High-NA 机器。
此外，ASML 已经开始生产其首个 High-NA 光刻系统，预计将于 2023 年完成（原型机），并将被 Imec 和 ASML 客户用于研发用途。
ASML 首席执行官 Peter Wennink 表示:“在 High-NA EUV 方面，我们取得了良好的进展，目前已经开始在我们位于维尔德霍芬的新无尘空间中打造第一个 High-NA 光刻”，“在第一季度，我们收到了多份 EXE:5200 系统的订单。我们这个月也还收到额外的 EXE:5200 订单。我们目前已有来自三个逻辑芯片和两个存储芯片客户的 High-NA 订单。EXE:5200 是 ASML 的下一代高 NA 系统，将为光刻技术的性能和生产力提供下一步的发展。”
ASML 的 Twinscan EXE:5200 比普通的 Twinscan NXE:3400C 机器要复杂得多，因此打造这些机器也需要更长的时间。该公司希望在未来中期能够交付 20 套 High-NA 系统，这可能意味着其客户将不得不进行竞争。
“我们也在与我们的供应链伙伴讨论，以确保中期大约 20 个 EUV 0.55NA 系统的交付能力，”Wennink 说。
到目前为止，唯一确认使用 ASML High-NA 光刻机的是英特尔 18A 节点，英特尔计划在 2025 年进入大批量生产，而 ASML 也是大约在那时开始交付其 High-NA EUV 系统。但最近英特尔已经将其 18A 的生产规划推迟到 2024 年下半年，并表示可以使用 ASML 的 Twinscan NXE:3600D 或 NXE:3800E 来生产，可能是通过多重曝光模式。但多重曝光模式意味着更长的产品周期、更低的生产率、更高的风险、更低的收益率，和更难的竞争。
本文参考自美联社、台湾省经济日报、MoneyDJ、联合新闻网、IT之家等报道
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