SK海力士今日宣布,公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E,将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后,仅隔7个月取得的成果。
  • 继HBM3,其扩展版HBM3E也率先进入量产阶段
  • 研发完成后仅隔7个月开始向客户供货,期待能实现最高性能的AI
  • “将维持用于AI的存储技术全球领先地位,并巩固业务竞争力”

韩国首尔,2024年3月19日 – SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)今日宣布,公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E*,将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后,仅隔7个月取得的成果。

* HBM(High Bandwidth Memory):垂直连接多个DRAM,与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发。 HBM3E是HBM3的扩展(Extended)版本

SK海力士表示,“继HBM3,公司实现了全球首次向客户供应现有DRAM最高性能的HBM3E。将通过成功HBM3E的量产,巩固在用于AI的存储器市场上的竞争优势。”

为了实现一个需要快速处理大量数据的AI系统,芯片封装必须以多重连接(Multi-connection)多个人工智能处理器和存储器的方式进行构建。因此,近期对AI扩大投资的全球大型科技公司持续提高对AI芯片性能的要求。SK海力士坚信,HBM3E将成为可满足这些要求的现有最佳产品。

HBM3E不仅满足了用于AI的存储器必备的速度规格,也在散热等所有方面都达到了全球最高水平。此产品在速度方面,最高每秒可以处理1.18TB(太字节)的数据,其相当于在1秒内可处理230部全高清(Full-HD,FHD)级电影。

而且,由于用于AI的存储器必须以极快的速度操作,因此关键在于有效的散热性能。为此,公司在新产品上适用Advanced MR-MUF**技术,散热性能与前一代相比提升了10%。

** MR-MUF:将半导体芯片堆叠后,为了保护芯片和芯片之间的电路,在其空间中注入液体形态的保护材料,并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较,工艺效率更高,散热方面也更加有效。

SK海力士HBM业务担当副社长柳成洙表示,“公司通过全球首次HBM3E投入量产,进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线”,还表示,“以至今积累的HBM业务成功经验为基础,将进一步夯实与客户的关系,并巩固‘全方位人工智能存储器供应商’的地位。”

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