这些新支出将集中在得州泰勒市,附近还有其他现有业务。据悉,三星计划将在那里打造一整个半导体研发—生产生态,包括一个致力于比当前工艺节点“先进一代”的研发厂、两座专注于大规模生产4nm和2nm工艺制程芯片的晶圆厂,还有一座为高带宽内存进行3D封装,以及具备2.5D芯片封装能力的先进封装设施。

当地时间4月15日,美国商务部国家标准及技术研究所官网贴出声明,宣布与韩国三星电子达成一项初步协议,依据美国《芯片法案》提供至多64亿美元的直接补贴。

三星在2021年宣布,将斥资约170亿美元在泰勒建造一座芯片工厂。在美国政策补贴下,三星计划将美国得州半导体投资总额增加一倍以上,达到约450亿美元。

根据三星与美国政府拟定的协议,韩国芯片巨头准备新建两座“世界领先的逻辑芯片厂”、一座研发中心和一个先进封装设施,同时扩建三星原有的奥斯汀晶圆厂。同时,奥斯汀工厂的扩建将支持全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)工艺技术的生产,将用于航空航天和国防等关键领域。这项拨款还包括三星与美国国防部合作的承诺。

这些新支出将集中在得州泰勒市,附近还有其他现有业务。据悉,三星计划将在那里打造一整个半导体研发—生产生态,包括一个致力于比当前工艺节点“先进一代”的研发厂、两座专注于大规模生产4nm和2nm工艺制程芯片的晶圆厂,还有一座为高带宽内存进行3D封装,以及具备2.5D芯片封装能力的先进封装设施。

有美国高级官员透露,三星投建的两家先进逻辑芯片工厂,一家计划于2026年投产,另一家与先进研发厂都将与2027年启用。该官员还表示,已经有很多供应商表示将迁往美国,与三星半导体产业集群进行合作。

目前,英特尔、台积电、三星三大芯片巨头都拿到了美国政府的补贴资金,总计215亿美元,占到《芯片法案》里的390亿美元建厂补贴近55%。

三星电子获得的半导体补贴规模仅次于美国半导体企业英特尔(85亿美元)和中国台湾企业台积电(66亿美元),位居第三。虽然三星拿到的补贴金额最低,但按照投资比例来看,却是最高的一家。

据悉,除了协议中提到的64亿美元直接拨款外,三星还计划申请美国财政部的投资税收抵免,预期能够覆盖合规资本支出的25%。

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