目前尚不清楚该芯片具体采用的是三星 Foundry 的第一代 (SF3E) 还是第二代 (SF3) 3nm GAA 工艺。考虑到智能手机芯片的复杂性,推测很可能是采用更适合复杂芯片的第二代工艺。

据外媒报道,三星电子首款3nm Gate All Around(GAA)工艺的片上系统(SoC)即将量产,预计该芯片预计将用于Galaxy S25系列。

三星自 2022 年底以来一直少量生产 3nm 芯片,但那些芯片主要用于加密货币挖矿,相对简单。而此次量产的芯片则代表了三星 Foundry 在高性能移动芯片领域的重大突破。 

与新思科技深度合作

据悉,这款高性能移动芯片包括CPU、GPU和新思科技(Synopsys)的多个IP块。据报道,三星使用Synopsys.ai EDA软件来对整个芯片制造过程进行微调,提高了芯片性能、产量和良率。

早在2021年三星宣布3nm GAA流片成功时,《电子工程专辑》就曾撰文分析其与新思科技的合作。参考阅读:三星3nm GAA芯片流片成功,性能优于台积电的3nm?

此外,工程师还使用Synopsys Fusion Compiler(电子设计自动化工具)来实现更高的性能、更低的功耗并优化芯片面积(PPA)。

三星和新思科技声称,后者的设计自动化工具有助于将芯片的频率提高300MHz,同时将功耗降低10%。

这些工具包括设计分区优化、多源时钟树综合(MSCTS)、智能线优化和更简单的分层方法。

三星系统 LSI 部门副总裁 Kijoon Hong 表示:“我们与 Synopsys 的长期合作一直引领着 SoC 设计的前沿。此次合作成功实现了最先进的移动 CPU 内核和 SoC 设计的最高性能、功耗和面积优化,这是一个了不起的里程碑。我们不仅证明了 AI 驱动的解决方案可以帮助我们在最先进的 GAA 工艺技术上实现 PPA 目标,而且通过此次合作,我们还建立了一个超高生产力的设计系统,并持续取得令人印象深刻的成果。”

或采用第二代GAA工艺

三星以前生产的芯片在持续使用情况下,常常会出现耗电量大和性能下降的问题,如今三星推出的GAA技术,有望解决这类问题。

GAA设计被称为MCBFET,即多信道桥式FET。三星称,与传统3nm芯片相比,自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%,性能也将得到改善,与之前的4nm FinFET工艺相比,能效和密度有着20%至30%的提升。

目前尚不清楚该芯片具体采用的是三星 Foundry 的第一代 (SF3E) 还是第二代 (SF3) 3nm GAA 工艺。考虑到智能手机芯片的复杂性,推测很可能是采用更适合复杂芯片的第二代工艺。

按照计划,三星接下来会大规模生产下一代Soc,这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500,Galaxy S25系列将会首发搭载,其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400,后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。

除了旗舰手机,三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。

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