近日,国内首次验证了3D硅基光电芯粒架构,实现了单片最高达8×256Gb/s的单向互连带宽。

近日,国家信息光电子创新中心宣布,和鹏城实验室的光电融合联合团队完成了2Tb/s硅光互连芯粒(chiplet)的研制和功能验证,在国内首次验证了3D硅基光电芯粒架构,实现了单片最高达8×256Gb/s的单向互连带宽。

2Tb / s 硅基 3D 集成光发射芯粒 图源:NOEIC

据介绍,团队在2021年1.6T硅光互连芯片的基础上,进一步突破了光电协同设计仿真方法,研制出硅光配套的单路超200G driver和TIA芯片。

同时还攻克了硅基光电三维堆叠封装工艺技术,形成了一整套基于硅光芯片的3D芯粒集成方案。

接收芯粒

经系统传输测试,8个通道在下一代光模块标准的224Gb/s PAM4光信号速率下,TDECQ均在2dB以内。

8×224Gb / s 硅基光发射芯粒输出眼图

通过进一步链路均衡,最高可支持速率达8×256Gb/s,单片单向互连带宽高达2Tb/s。

硅光互连芯粒的侧向显微镜结构

目前在芯片技术的发展过程中,随着芯片制程的逐步缩小,互连线引起的各种效应成为影响芯片性能的重要因素。

而硅光子技术可以将电换成传输速度更快的光,实现更快的传输速率、更远的传输距离以及更低的功耗和延迟。

据悉,华为、台积电、英特尔、IBM、Oracle等巨头都在推进硅光的产业化。

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