ASML在imec的ITF World 2024大会上宣布,其首台High-NA EUV光刻机已成功印刷出8nm密集线条,超越了此前10nm的记录。

近日,荷兰阿斯麦公司(ASML)在芯片制造领域取得新进展,其首台高数值孔径(High-NA EUV)光刻机成功刷新芯片制造密度记录,并提出Hyper-NA设备的激进方案。

ASML在imec的ITF World 2024大会上宣布,其首台High-NA EUV光刻机已成功印刷出8nm密集线条,超越了此前10nm的记录。这项技术进步是ASML在芯片制造领域的又一重大突破,对于制造计划在 2025-2026 年上市的 3nm 以下工艺芯片至关重要。

High-NA EUV光刻机的突破

High-NA EUV光刻机采用0.55的数值孔径(NA),相较于标准EUV光刻机的0.33 NA,能够实现更高的分辨率和更小的特征尺寸。这一技术允许在单次曝光下印刷出尺寸减小1.7倍、晶体管密度提高2.9倍的晶体管,对于制造计划在2025-2026年上市的3nm以下工艺芯片至关重要。

ASML前总裁兼首席技术官Martin van den Brink,目前担任公司顾问,他提出了超数值孔径(Hyper-NA)芯片制造工具的激进方案。Hyper-NA系统将使用相同波长的光,但将NA扩大到0.75,以实现打印更小的特征尺寸。这一方案旨在进一步扩展High-NA产品线,满足日益增长的芯片性能需求。

根据上述路线图,Hyper-NA 可能适用于单次曝光 2DFET 晶体管,但目前尚不清楚使用 High-NA 和多重曝光是否也能产生如此精细的间距。

Hyper-NA设备的前景

Hyper-NA设备预计将在2033年左右问世,它将需要更大、更先进的反射镜和改进的照明系统,因此将是一个更昂贵的选择。Hyper-NA的目标是通过单次曝光打印更小的特征,以避免多重曝光技术,简化生产流程、提高产量并降低成本。

Van der Brink还提出了将ASML未来设备的吞吐量提高到每小时400到500个晶圆(wph),这是目前200 wph峰值的两倍多,从而降低EUV芯片的制造成本。他还为ASML未来的EUV工具系列提出了一种模块化统一设计,这可能有助于提高生产效率和灵活性。

行业反响与未来展望

台积电先前一再表示,ASML的High-NA EUV太过昂贵,2026年前使用没有太大的经济效益,但日前台积电总裁魏哲家密访ASML总部,让外界不禁猜测,台积电是否改变心意。

综合科技媒体wccftech和韩媒BusinessKorea报导,消息人士指出,魏哲家缺席23日的台积电2024年技术论坛台湾场,于26日造访了ASML荷兰总部,以及工业雷射公司创浦(TRUMPF)的德国总部。

金融分析师奈斯泰德(Dan Nystedt) 28日在X平台发文写道,台积电似乎加入了追逐下一世代EUV设备之战。业界推断,魏哲家的到访,显示台积电想买High-NA EUV,此种设备对2纳米以下工艺极为关键。

台积电原本打算2026年下半量产1.6nm后,再导入High-NA EUV。理由是High-NA EUV 设备报价高达3.8亿美元,较EUV高出逾一倍,然而现在竞争对手英特尔和三星电子都已有所行动。

ASML去年底已出货首台High-NA EUV给英特尔,后者也是已知唯一一家已经完全组装High-NA系统的芯片制造商,它正紧随ASML的脚步,在俄勒冈州的D1X工厂投入运营自己的设备。英特尔计划将其EXE:5200 High-NA EUV用于研发目的,然后将其投入生产14A节点。

三星集团会长李在镕则已在4月亲访ASML关键伙伴蔡司的德国总部,拜会ASML CEO与蔡司CEO,以强化三方的半导体联盟。

ASML的这一进展不仅代表了10多年的研发和数十亿欧元投资的成果,也为未来几代工艺节点技术铺平了道路。尽管成本将是关键因素,但ASML显然已经在考虑如何使Hyper-NA定价方程式对其客户更具吸引力。

随着High-NA EUV光刻技术的不断成熟和Hyper-NA设备的研发,ASML在推动半导体行业进步方面发挥着重要作用。这些技术的突破将为芯片制造商提供更高效、成本效益更高的解决方案,进一步推动整个行业向前发展。

责编:Luffy
  • 台积电也只能跟着走,再贵也得买,否则就落后竞争对手了。。。
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