近年来,人工智能服务器以及人工智能应用的爆炸式增长,HBM得到迅速采用,推动了内存领域前所未有的产能增长。作为回应,领先的 DRAM 制造商正在增加对 HBM/DRAM 的投资。SEMI  最新《世界晶圆厂预测》季度报告中,预计 2024 年和 2025 年 DRAM 容量都将增长 9%。

电子工程专辑讯 近日,据日经亚洲援引知情人士称,美光正在美国建设先进高带宽内存芯片(HBM)的测试生产线,并首次考虑在马来西亚生产HBM,以满足人工智能热潮带来的更多需求。

在2023年10月,美光在马来西亚槟城的第二座智能(尖端组装与测试)工厂落成开业, 该工厂初期投入了10亿美元,在第一座工厂建成后,再加码10亿美元扩建第二座智慧厂房,将工厂建筑面积扩充至150万平方尺。

美光科技全球组装与测试营运高级副总裁古沙兰辛格(Gursharan Singh)顷于庆祝该公司45周年纪念及第二座智慧厂房开幕仪式后表示,马来西亚是美光科技最关键之投资据点,该集团计划于未来几年内,全面装备新厂房,以提高马国美光科技之生产率,并加强其组装与测试能力,提供先进的NAND、PCDRAM及SSD模组,以满足人工智慧与电动车等不断成长之需求。

近年来,人工智能服务器以及人工智能应用的爆炸式增长,HBM得到迅速采用,推动了内存领域前所未有的产能增长。作为回应,领先的 DRAM 制造商正在增加对 HBM/DRAM 的投资。SEMI  最新《世界晶圆厂预测》季度报告中,预计 2024 年和 2025 年 DRAM 容量都将增长 9%。

英伟达对美光HBM的需求旺盛。根据市场研究机构Yole的预测,仅英伟达一家对HBM的需求在未来几年内就有望超过百亿美元。此外,美光宣布其最新的HBM3E产品将用于英伟达的H200 Tensor Core GPU。

英伟达是台积电的大客户之一,台积电新任董事长魏哲家此前就抱怨过英伟达的产品太贵,魏哲家表示:“我们希望我们的客户能与我们分担一些更高的成本,我们已经开始与客户进行讨论。”黄仁勋也认为台积电涨价是合理的。TrendForce称,台积电在AI应用、PC新平台等HPC应用及智能手机高端新品推动下,5/4nm及3nm呈满载,今年下半年产能利用率有望突破100%,且能见度已延伸至2025年。

为满足英伟达大量的HBM产能需求,美光和SK海力士的HBM产能已经排到2025年底。英伟达正在对三星和美光科技的HBM进行资格认证。今年5月,路透社报道,三星电子最新的HBM芯片尚未通过英伟达测试。不过,黄仁勋在 2024 台北国际电脑展上,表示仍在认证三星公司的 HBM 内存,否认三星 HBM 未通过英伟达测试,并表示认证三星 HBM 需要更多工作和耐心。

据日经亚洲报道,美光计划在2025年将HBM领域的市场份额快速提升至约20%,以匹配其在DRAM行业整体营收中的份额。消息人士透露,美光正在其位于美国爱达荷州博伊西的总部扩建与HBM相关的研发生产设施,这包括技术验证产线和量产线。

美国拜登政府已经宣布,美光获得了美国商务部提供的 61.4 亿美元的直接资金补贴,这些资金将帮助美光将40%的动态随机存取存储器(DRAM)产能转移到美国。

援引路透社消息称,这项投资将推动美光公司在纽约州中部实施其价值 1000 多亿美元的四座晶圆厂项目,预计创造 50,000 个就业岗位。

据了解,美光会先在纽约建设两座领先的动态随机存取存储器 (DRAM) 工厂,这是美光在未来20年内投资约 1000 亿美元的长期投资计划的第一步。该资金还将支持美光在爱达荷州的 DRAM 工厂投资250亿美元,该工厂将与美光在博伊西的研发设施位于同一地点。

美光也在日本扩产,美光获得日本政府半导体补助后,就宣布将在日本广岛县投资6,000亿至8,000亿日圆(约38亿至51亿美元),兴建一座采用极紫外光(EUV)微影制程的先进DRAM晶片厂,最快2026年初动工,2027年底开始营运。

美光打算在日本增设的新厂,最初预定日本新厂在今年之前开始营运,明年之前开始生产先进DRAM芯片,同时进行HBM芯片研发,但前两年存储芯片市况低迷让日本建厂计划暂停,直到近日才重启计划。

在资金方面,日本政府将提供1,920亿日圆补助,其中1,670亿日圆直接补助先进DRAM生产,占美光对广岛厂生产线投资额的三分之一。日本政府将其余250亿日圆补助款用来协助美光推动新一代芯片研发,占美光广岛厂研发经费的二分之一。

据TrendForce报道,美光在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近,专注于 DRAM 生产,不包括后端封装和测试,并将重点放在 HBM 产品上。

美光科技广岛新工厂将率先采用极紫外 (EUV) 光刻设备,生产中国台湾和日本合作开发的新型先进 1-Gamma 工艺 DRAM。随后,该工厂还将过渡到 1-Delta 工艺,从而大幅增加 EUV 工具的使用量和更高的洁净室设施。

至于位于广岛的Fab 15,则是HBM的量产基地,负责前端晶圆生产和硅通孔(TSV)工艺,而后端堆叠和测试工艺则由中国台湾台中后端工厂负责。TechNews援引的市场报告表明,由于HBM需求不断增长,美光在台湾的工厂将从明年开始投入HBM生产和TSV工艺。

由于美光需要加速渗透HBM市场,且2025年产能已被客户满订,兴建新厂势在必行,并计划在2025年维持HBM产品线市占率20%至25%,争取追平传统DRAM的水平。

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