美国政府资助SK海力士4.5亿美元，在美建设HBM封装厂

近日，美国商务部宣布将向全球领先的存储芯片制造商SK海力士提供高达4.5亿美元的补助金，以支持其在美国印第安纳州建立先进的芯片封装工厂和人工智能产品研发设施。

这项资助是美国《芯片和科学法案》（CHIPS Act）的一部分，旨在促进美国国内半导体产业的发展和创新。美国商务部指出，"高性能内存芯片是图形处理单元（GPU）的重要组成部分，而GPU的处理能力提升，推动了人工智能系统的发展"。

SK 海力士首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-Jung）表示，该公司期待着 "建立一个新的人工智能技术中心"，并帮助创建 "一个更强大、更有弹性的全球半导体行业供应链"。

郭鲁正同时表示:“我们正与印第安纳州、普渡大学、美国企业合作伙伴一起，推进印第安纳州生产基地的建设，以最终通过西拉法叶城提供尖端人工智能存储器产品。”

根据SK海力士与美国商务部签署的初步协议，公司除了直接融资外，还有资格获得5亿美元的潜在贷款，以及最高可达合格资本支出25%的投资税收抵免。

此前，SK海力士计划在印第安纳州西拉斐特投资约38.7亿美元建设生产基地，预计该基地将于2028年下半年开始量产下一代高带宽存储芯片（HBM，High Bandwidth Memory），这也是是SK海力士在美国的第一个封装工厂。

SK海力士的这一投资预计将为当地创造约1000个就业岗位，同时填补美国半导体供应链的关键空白。

HBM芯片在人工智能系统、高性能计算和数据中心等领域的应用日益增长，SK海力士通过其HBM3E产品已成为英伟达（NVIDIA）的主要供应商。该产品是第一个通过英伟达认证测试的HBM芯片，使SK海力士在HBM芯片领域占据了重要市场份额，领先于三星电子和美光科技。

随着全球芯片需求的激增，美国政府正通过资金支持来加强国内半导体产业的竞争力。除了SK海力士，英特尔、三星、台积电和美光等公司也通过《芯片法案》获得了资金支持。

据韩联社，对SK海力士补贴具体金额今后将根据美国《芯片和科学法案》的资助机会通知（NOFO）敲定。SK海力士的补贴资金比例为11.6%，虽低于三星电子（14.2%），但高于台积电（10.2%）和英特尔（8.5%）。

SK海力士的这一投资是其全球扩张战略的一部分，公司还计划在韩国龙仁市建立新的芯片工厂，并计划在2028年之前投资103万亿韩元以加强其芯片业务。