美光有意在台加码投资HBM，再设第二个研发中心

电子工程专辑讯 近日，有消息称美光有意在中国台湾加码投资HBM，建立第二个研发中心。在人才方面，这些国际大厂的落地，将有助于将国际人才引进台湾地区。

2021年5月，美光在台湾地区设立第一个研究中心， 将先进工艺落脚台湾地区的台中、桃园。AI浪潮下对HBM的高需求，三星及海力士都在积极追赶先进技术，SK海力士和三星正在积极和供应链合作，提升工艺制造和封测能力。美光也将进一步投入HBM工艺技术提升，中国台湾《工商时报》援引知情人士称，美光一定会有扩大加码投资中国台湾计划，但仍需经其董事会同意，才会有明朗化消息。

《工商时报》指出，国际企业来台设研发中心，能有一半（50％）国际人才是来自国际人才，以此作招商条件之一。

三星、SK海力士、美光加大对HBM的投资

TechInsights预计，主要受益于高带宽存储器（HBM）的旺盛需求，以及AI数据中心对NAND闪存使用量的增长，2024年下半年全球晶圆厂利用率有望达到80%左右。

SK海力士和三星正加大对HBM的布局。近日，美国商务部宣布将向全球领先的存储芯片制造商SK海力士提供高达4.5亿美元的补助金，以支持其在美国印第安纳州建立先进的芯片封装工厂和人工智能产品研发设施。

此前，SK海力士计划在印第安纳州西拉斐特投资约38.7亿美元建设生产基地，预计该基地将于2028年下半年开始量产HBM。

SK海力士是英伟达的主要HBM供应商，SK海力士的HBM3E芯片量产的良率高达80%。此前SK集团经历重组，并决定将重心集中在人工智能和半导体为中心的业务结构上，以扩大对HBM的投资。

SK海力士已经完成了对英伟达的HBM3E产品的测试，并从2024年第二季度起向客户供货，英伟达为了确保HBM的稳定供应，已向SK海力士支付了数亿美元的预付款。

三星已开发出业界首款12栈HBM3E芯片，并开始向客户提供样品，预计今年上半年量产。三星电子第四代高带宽内存（HBM3）芯片已经获得英伟达（NVIDIA）批准。三星电子的第五代HBM半导体"HBM3E"尚未满足英伟达的批准标准，质量测试仍在进行中。

美光计划于2024年第二季度开始出货其HBM3E内存，这些内存将用于英伟达的H200 Tensor Core GPU。英伟达已向美光支付数亿美元的预付款以保证HBM的稳定供应。

美光正在美国建设先进高带宽内存芯片（HBM）的测试生产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，以满足人工智能热潮带来的更多需求。今年6月，日经亚洲援引知情人士称，美光计划在2025年将HBM领域的市场份额快速提升至约20%，以匹配其在DRAM行业整体营收中的份额。美光正在其位于美国爱达荷州博伊西的总部扩建与HBM相关的研发生产设施，这包括技术验证产线和量产线。

美光在台投资，意在“近水楼台”

台湾地区是美光的重要生产基地，美光加大在台投资可以贴近重要客户台积电。

随着全球人工智能（AI）加速器核心零部件——高带宽内存（HBM）市场迅猛增长，韩国对中国台湾地区出口的存储芯片规模随之增加。

大部分韩国芯片出口为内存，而价格飙升的部分原因是与人工智能加速器搭配的HBM。SK海力士供应给英伟达的HBM芯片成为韩国上半年存储芯片出口暴增的主要原因。韩国半导体出口额同比增长，其中存储器价格上涨和服务器等产业需求扩大，而HBM芯片作为关键组件，其需求增长对整体出口额的提升起到了重要作用。

台湾地区作为全球重要的半导体产业基地，拥有完善的产业链和人才优势，通过在台湾建立第二个研发中心，美光可以进一步巩固其在亚洲，特别是在快速发展的AI和数据中心领域的领先地位，有助于美光科技更好地把握市场机遇。

在资本支出上，美光小幅上调2024年的资本支出预测，从75亿美元增至80亿美元，以应对人工智能产业快速增长带来的需求。