美国大学报告：中国芯片研究论文占全球34%，远超其他国家或地区

3月3日，美国乔治敦大学“新兴技术观察项目（ETO）”发布了一份研究报告称，中国在芯片设计与制造领域的研究论文产出方面处于全球领先地位。根据该报告，2018-2023年全球共发表约47.5万篇与芯片设计和制造相关的论文，五年间增长率为8%。这一增速虽低于人工智能（AI）或大型语言模型（LLM）等热门领域（如AI论文同期增长76%），但芯片设计与制造研究仍保持了稳定的增长态势。

据悉，这一数据基于包含英文标题或摘要的文章统计，未涵盖无英文摘要的非公开研究。若纳入中文论文（尤其是中国学者的非英文研究），实际论文数量可能显著增加。

该报告数据显示，在芯片设计与制造论文领域，中国以绝对优势领先于其他国家。其中，34%的论文有来自中国机构的作者参与，15%的论文有美国作者参与，18%的论文有欧洲作者参与。

同时，在高被引文章（定义为每年发表文章中被引用次数排名前10%的文章）中，中国作者的比例高达50%，远超美国（22%）和欧洲（17%）。韩国和德国分别位列第三和第四位，但与中、美仍有较大差距。

此外，全球前十大高产机构中，9家为中国机构（如中国科学院、清华大学等）。其中，中国科学院以 2018-2023 年期间发布的 14,387 篇文章位居榜首。法国国家科学研究中心（CNRS）在文章数量上位列全球第三。

通过对2018-2023年期间高被引文章的分析，可以发现芯片设计与制造领域的研究热点。在被引用次数最高的十篇芯片设计与制造文章中，许多研究聚焦于半导体应用中的二维材料，如石墨烯和 MXenes，过渡金属及其化合物也是热门研究对象，包括铁磁性过渡金属和过渡金属二硫化物等。

总体来看，中国作为芯片设计和制造方面最大的研究论文产出国，领先于美国等其他高产国家。

不过，值得一提的是，根据美国信息技术与创新基金会（ITIF）在2024年8月发布的一份研究报告称，尽管中国企业在半导体设计和传统半导体芯片生产方面取得了进展，但在大批量生产尖端逻辑半导体芯片方面相对于全球领先企业落后约5年，在存储芯片和半导体制造设备方面同样落后。

同时，美国在EDA工具、核心IP和逻辑芯片等核心研发密集型活动中占据主导地位。但美国ITIF也认为，中国正在努力缩小半导体生产过程中各个方面的差距，并正在全面开发真正的知识产权（IP）和创新能力。