三星已于2024年第二季度停产DDR3，此次DDR4/LPDDR4产能调整的核心逻辑在于策略性资源重配。
2025 年 4 月 22 日，半导体行业迎来关键产能调整信号 —— 三星电子正式通知客户，将于 2025 年 4 月终止 1z 制程 8Gb LPDDR4 存储器的生产（End of Life，EOL），并要求客户在 6 月前完成最后订单确认（Last Buy Order，LBO），预计最迟 10 月完成出货。
与此同时，多款采用 1y 纳米及 1z 纳米制程的 DDR4 模块（包括 8GB/16GB 容量的 SODIMM/UDIMM 产品）也进入停产倒计时，最后出货日期定为 12 月 10 日。这一动作被视为三星推动 DRAM 工艺升级的关键一步，标志着全球存储产业向高端化转型的加速。
两大核心原因：利润导向与市场竞争
三星已于2024年第二季度停产DDR3，此次产能调整的核心逻辑在于策略性资源重配。
随着 AI 服务器、高性能计算对 HBM、DDR5 等高端存储的需求呈爆发式增长，三星正将产能向高附加值领域倾斜。HBM 作为当前最炙手可热的存储技术，在 AI 芯片中不可或缺，其利润率远高于传统 DDR4 产品。
与此同时，以长鑫存储为代表的中国厂商近年持续扩张 DDR4 产能，凭借本地化生产优势抢占中低端市场，导致 2025 年 1 月 DDR4 8Gb 颗粒批发价跌至 1.75 美元，连续 5 个月下跌，利润空间被大幅压缩。
三星选择主动收缩旧制程产能，既是对市场竞争的回应，也是为高端技术腾挪资源的必然选择。
供应紧张或导致市场重构
产业链上下游已感受到这一调整的连锁反应。依赖三星 1y 纳米 16Gb DDR4 颗粒的 OEM 厂商首当其冲，相关产品供应将面临大幅缩减。尽管模块厂商仍可获取部分 DDR4 颗粒，但整体货源紧张或在 2025 年中期对入门级 PC、消费电子的生产造成影响。
市场价格层面，DDR4 已呈现触底反弹趋势，近几个月涨幅超过 10%，而 DDR3 因库存高企仍表现疲软，显示出市场对旧制程产品的分化预期。在此背景下，长鑫存储、台湾华邦电、南亚科等厂商迎来替代机遇，有望承接三星腾出的中低端市场份额，南亚科预测 DRAM 行业上半年有望触底反弹，国产厂商的市场地位或将进一步提升。
从行业全局来看，三星的产能调整并非孤例。美光此前已停止服务器用旧制程 DDR4 模块生产，SK 海力士也计划将 DDR4 生产比重降至 20%，三大原厂正同步上演 “旧制程退出、新技术攻坚” 的战略转向。
根据三星产品规划，1y 纳米制程产能占比将从 2024 年的 20% 快速削减至 2025 年下半年的不足 10%，1z 纳米 DDR4 则将于 2026 年进入停产倒计时，最终在 2027 年全面退出市场，未来仅保留该制程供应部分长尾需求。更先进的 1a/1b 纳米制程 DDR5 模块将优先保障戴尔、惠普等头部 PC 厂商的需求，凸显出三星对高端客户的战略倾斜。
三星回应
面对市场传闻，三星半导体在 4 月 22 日中午回应称 “不评论业界传言，生产在按序进行”，但供应链信息显示，此次调整是其 “2025 DRAM 技术升级计划” 的核心环节。
随着全球存储产业进入 “新旧交替” 关键期，技术代差带来的价值鸿沟愈发明显：HBM、DDR5 等产品成为新的利润增长极，而 DDR4 等旧制程则因成本竞争力下降逐步退居二线。中国厂商在中低端市场的崛起与国际巨头的高端化转型形成产业双轨，这种格局变化既为国产厂商提供了填补市场空缺的机遇，也对其技术升级能力提出了更高要求 —— 能否在 HBM 等下一代产品上突破技术壁垒，将决定其在未来全球供应链中的角色定位。
对于下游客户而言，此次调整意味着供应链多元化与技术升级的双重紧迫。一方面，需加速与长鑫存储等本土厂商的合作以应对可能的供应缺口；另一方面，推动产品向 DDR5 迁移已成为必然选择。
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