根据英诺赛科(Innoscience)公司官网新闻报道,公司在与国际芯片巨头英飞凌(Infineon)的专利诉讼中取得关键进展。2025 年 5 月 11 日,最高人民法院终审裁定驳回英飞凌中国公司及无锡公司提出的管辖权异议上诉,确认江苏省苏州市中级人民法院对案件的管辖权。
英诺赛科表示,这一裁定为案件进入实体审理扫清障碍,标志着英诺赛科在捍卫自主知识产权的法律战中迈出重要一步。
案件背景
2025 年 1 月,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司及全资附属公司向苏州中院提起诉讼,指控英飞凌中国公司、英飞凌无锡公司及芯沃科公司侵犯其两项核心专利:202311774650.7 号专利涉及氮化镓(GaN)功率器件及其制备方法,202211387983.X 号专利涉及氮化物基半导体器件及其制造方法。英诺赛科指出,英飞凌通过官网展示、进口及销售相关侵权产品,芯沃科作为分销商参与其中,构成专利侵权。
英飞凌方随后以管辖权为由提出异议,主张案件应由其他法院审理,但苏州中院一审驳回其请求。英飞凌不服上诉至最高人民法院,经审理查明,芯沃科公司作为苏州两案的适格被告,其住所地位于江苏省苏州市,属于一审法院管辖范围,因此一审法院具有管辖权。基于此,最高人民法院驳回了英飞凌的上诉请求,维持了两案管辖权异议一审裁定。
根据《民事诉讼法》及相关司法解释,管辖权异议需在答辩期内提出,法院审查后裁定驳回或移送,而最高院的终审裁定为本案的管辖程序画上句号。
技术与市场竞争的深层博弈
本案背后是第三代半导体领域的技术话语权争夺。英诺赛科作为中国氮化镓功率器件领先企业,2023 年氮化镓分立器件累计出货量超 5 亿颗,市占率达 42.4%,其 8 英寸硅基氮化镓晶圆量产技术打破国际垄断。而英飞凌近年来通过收购 GaN Systems 等企业加速布局氮化镓市场,试图巩固其在功率半导体领域的全球龙头地位。
英诺赛科与英飞凌的专利纠纷由来已久。早在2024年3月,英飞凌已在美国加利福尼亚北区地方法院对英诺赛科提起了专利侵权诉讼,并于2024年6月4日向德国慕尼黑地方法院提起相应诉讼。对此,英诺赛科曾回应称,英飞凌的专利侵权指控毫无根据,且影响有限。
此次诉讼涉及的氮化镓技术是新能源汽车、数据中心等领域的核心材料,具有高频、低损耗等优势。英诺赛科在诉讼中强调,其专利技术 “补偿 GaN 层” 等关键设计为自主研发成果,而英飞凌的侵权行为损害了其市场利益。分析人士指出,管辖权裁定的胜诉为英诺赛科后续主张侵权赔偿、禁令等救济措施奠定了程序基础。
行业意义与法律启示
这是英诺赛科继 2024 年在美国与 EPC 公司专利纠纷中胜诉后,再次在国际知识产权诉讼中取得阶段性胜利,也为国内同行应对跨国专利诉讼提供了参考。
从法律层面看,最高院的裁定体现了对知识产权案件管辖规则的严格适用。根据《最高人民法院关于审理民事级别管辖异议案件若干问题的规定》,法院需依法审查管辖权异议,确保程序正义。本案中,苏州中院作为侵权行为地法院,依法享有管辖权,终审裁定进一步明确了这一法律逻辑。
随着管辖权争议尘埃落定,案件将进入实体审理阶段,英诺赛科需在技术比对、侵权认定等核心环节提供充分证据。若最终胜诉,不仅可能获得经济赔偿,还可能通过禁令限制英飞凌相关产品在中国市场的销售。
