台积电计划在未来几周内正式实施调价,其中 2nm 工艺 300mm 晶圆价格将从 3 万美元涨至 3.3 万美元。与此同时,4nm 节点价格涨幅可能高达……

据知情人士透露,全球半导体代工龙头台积电(TSMC)日前确认将上调 2nm 工艺晶圆价格,涨幅达 10%,引发行业广泛关注。多位知情人士称,台积电计划在未来几周内正式实施调价,其中 2nm 工艺 300mm 晶圆价格将从 3 万美元涨至 3.3 万美元。与此同时,4nm 节点价格涨幅可能高达 10%-30%,成为近年来台积电在先进制程领域最大幅度的价格调整。

公开数据显示,2016年10nm制程晶圆报价约6000美元,至5nm时代已飙升至1.6万美元。此次2nm工艺定价直接跃升至3.3万美元区间,较3nm工艺2万美元的均价高出65%。若以苹果A20 Pro处理器为例,单片晶圆可切割约400颗芯片,仅代工成本分摊至每颗芯片即达82.5美元,较A18处理器50美元的成本激增65%。

4nm工艺的涨价策略更具弹性。据台积电客户透露,针对AI、HPC等高性能计算订单,4nm代工价涨幅可能触及30%上限,而移动通信类订单涨幅则控制在10%左右。

这种差异化定价策略反映出台积电对AI需求爆发的精准卡位——英伟达Blackwell架构GPU、AMD Zen 6架构EPYC处理器等AI算力芯片均锁定4nm制程,成为价格传导的核心载体。 

涨价动因:海外建厂成本与资本支出压力

此次涨价的核心驱动力来自台积电在美国等海外地区建厂的巨额成本。

以亚利桑那州晶圆厂为例,其建设成本较台湾本土高出近 3 倍,工会谈判、环保合规等附加成本推高了整体运营压力。台积电 2025 年资本支出计划高达 380 亿至 420 亿美元,其中 70% 将用于先进制程研发与产能扩张,包括亚利桑那州新增的 3 座晶圆厂和 2 座先进封装厂。

台积电2nm工艺的主要生产基地将位于晶圆二十厂

在过去几年时间里,台积电日本熊本工厂进展相对顺利,于 2022 年 4 月动工,计划 20 个月完成,并在 2022 年 2 月就举行了开业仪式。而美国工厂进度缓慢,直到 2025 年 1 月份 4nm 工艺才投产。根据台积电在 4 月份股东会年报公布的数据,美国亚利桑那州新厂在 2024 年亏损近 143 亿元新台币,远超日本工厂 43 亿新台币亏损情况。

四处建厂使得台积电财务压力巨大,为了平衡这一支出,台积电不得不通过涨价回收部分投资。

地缘政治因素也加剧了成本压力。美国政府的关税政策和技术管制要求台积电在美扩大产能,而台湾当局的 “脱中入美” 策略进一步推动其资源向海外倾斜。这种战略调整导致台积电在美运营成本激增,最终转嫁至客户。

技术优势支撑涨价底气

台积电 2nm 工艺的技术突破为其涨价提供了市场话语权。

根据台积电官方数据,2nm 工艺采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管架构和第一代纳米片(Nanosheet)晶体管技术,该技术采用超级电轨技术(Super Power Rail,SPR),是具有独创性、领先业界的背面供电解决方案。

SPR将供电线路移到晶圆背面,以在晶圆正面释放出更多信号线路布局空间,来提升逻辑密度和效能。SPR也能大幅度降低IR drop,进而提升供电效率。更重要的是,台积电独特的backside contact技术能够维持与传统正面供电下相同的栅极密度(Gate Density)、版图尺寸(Layout Footprint)和组件宽度调节的弹性,因此可以提供最佳的密度和速度上的优势,这也是业界首创的技术。

相比 3nm 工艺,2nm工艺晶体管密度提升 15%,相同性能下功耗降低 24-35%,能效比自 28nm 以来累计提升超过 140 倍。这一技术优势使其成为人工智能、高性能计算等领域的首选,英伟达 CEO 黄仁勋直言台积电的尖端工艺 “非常值得”。

此外,根据台积电数据, 2nm 工艺节点在开发过程中表现出色,其缺陷率显著优于 3nm 和 7nm 工艺在相同研发阶段的表现,良率现已达到台积电成熟 5nm 工艺的水平,并预计将于 2025 年第四季度正式进入大规模量产阶段。但是据EDA厂商数据,2nm工艺流片成功率已从30%骤降至14%,直接推高研发风险与成本。为维持56%以上毛利率目标,台积电需通过价格调整填补技术跃迁带来的资金缺口。

随着 AMD、英伟达、苹果、高通,甚至拥有自有晶圆厂的英特尔等公司的需求不断增长,台积电 2nm工艺正逐渐成为近年来最抢手的制程节点之一。

目前,台积电 2nm 工艺已获得 AMD、苹果等头部客户订单。AMD 新一代 Zen6 架构 EPYC 处理器将基于台积电 N2 工艺打造,尽管不排除与三星合作的可能性,但台积电仍占据主导地位。

苹果则计划在 2026 年推出的 iPhone 18 系列中的A20/A20 Pro芯片采用2nm工艺,但如此一来仅芯片成本就将推高整机BOM成本约5%。联发科天玑9400等3nm芯片已现涨价苗头,高通骁龙8 Gen 4代工成本较前代激增25%。

行业影响:成本传导与竞争格局重塑

晶圆价格上涨将直接推高下游产品成本,未来旗舰终端售价上涨或成常态。

以英伟达 RTX 5090 显卡为例,其通路价格已从年初的 9 万元新台币飙升至 10 万元,涨幅超 10%,而搭载 4nm 芯片的服务器报价也上调了 10-15%。消费电子、数据中心等领域的终端产品价格可能随之上涨,最终由消费者承担。

竞争对手的动态值得关注。三星电子近期上调 DRAM 价格,DDR4 涨幅达 20%,显示半导体行业整体面临成本压力。在先进制程领域,三星正加速推进 3nm 量产,并计划在 2025 年推出 2nm 工艺,试图通过价格优势争夺台积电客户。此外,中国厂商如华为昇腾 920 芯片预计下半年量产,性能接近英伟达 H20,可能对台积电形成长期竞争。

台积电股价在消息公布后微跌 0.37%,收于 193.5 美元,市值仍维持在 1 万亿美元高位,显示市场对其技术优势的长期信心。分析师指出,尽管涨价可能导致短期订单波动,但台积电凭借技术壁垒和产能规模,仍将主导先进制程市场。

台积电计划 2025 年在全球新建 9 座工厂,其中新竹晶圆 20 厂和高雄晶圆 22 厂将成为 2nm 量产核心基地,预计 30% 的 2nm 产能将布局美国。这一扩产计划旨在缓解供需矛盾,但也可能进一步推高成本,形成 “涨价 - 扩产 - 再涨价” 的循环。

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