SK海力士成功开发出基于321层NAND闪存的解决方案产品UFS 4.1

• 具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI进行优化
• 产品厚度减薄15%，适用于超薄旗舰智能手机
• “凭借全球最高321层的产品组合，公司将在NAND闪存领域进一步巩固‘全方位面向AI的存储器供应商’的地位”

韩国首尔，2025年5月22日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）22日宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。

SK海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI的稳定运行，所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。依托这款对AI工作负载*优化的UFS 4.1产品，公司将进一步巩固其在旗舰智能手机市场中的存储器技术领导地位。”

* 工作负载（Workload）：指在特定时间内需要处理的任务类型和数量，通常涉及大量的数据处理或数据库相关的任务。

随着端侧AI的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗特性已成为移动设备的行业标准。

顺应这一趋势，公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时，成功产品厚度从1mm减薄至0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。

此外，该产品支持第四代UFS产品的顺序读取*峰值，数据传输速率高达4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入**速度，相较上一代产品分别提升了15%与40%，达到现存UFS 4.1产品中全球领先水平。

* 顺序读写（Sequential Read/Write）：对单个文件的数据进行顺序读写的速度

** 随机读写（Random Read/Write）：对多个分散文件的数据进行读写的速度

通过该方式，能够实时提供对端侧AI所需的数据，显著提升应用程序的运行效率与响应速度，从而有效增强用户的实际性能体验。

该产品提供512GB（千兆字节）和1TB（太字节）两种容量规格。公司计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。

SK海力士开发总管（CDO, Chief Development Officer）安炫社长表示：“以此次产品的开发为契机，公司计划于今年内完成基于全球最高321层4D NAND闪存的消费级和数据中心级固态硬盘（SSD）产品的开发工作。通过这一举措，公司将在NAND闪存领域构建具备AI技术竞争力的产品组合，从而进一步巩固公司作为‘全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）’的地位。”