6月30日,氮化镓功率半导体企业英诺赛科发布公告称,其最大基石投资者——国际半导体巨头意法半导体(STMicroelectronics)在原禁售期(6月29日)到期后,主动承诺未来12个月内不减持任何股份。根据公告,意法半导体目前持有英诺赛科12,592,100股H股,占已发行H股总数的约2.56%,占当前可流通H股总数的27%。
作为全球半导体行业的头部企业,意法半导体的“锁仓”承诺不仅是对其自身战略布局的延续,更向市场传递了对英诺赛科技术实力和市场潜力的认可。此前,英诺赛科在氮化镓领域的技术突破已获得行业广泛关注,包括全球首条8英寸硅基氮化镓晶圆量产线的建成,以及全电压谱系产品的商业化落地。
券商密集唱多,氮化镓赛道高增长可期
除产业资本的坚定支持外,多家头部券商近期亦对英诺赛科给出积极评价。
财通证券、招银国际等六家机构在研报中一致给予“买入”评级。其中,招银国际预测其2024—2027年收入复合增长率可达55.2%;国金证券则将2027年归母净利润预期上调至2.38亿元,同比激增265%。
券商观点普遍聚焦于氮化镓市场需求的爆发式增长。随着AI算力、电动汽车、机器人等新兴行业的快速扩张,氮化镓凭借其高频率、低导通电阻等特性,正加速替代传统硅基器件。据弗若斯特沙利文数据,2023年氮化镓功率半导体占全球功率半导体市场的0.5%,预计2028年将提升至10.1%。
从晶圆到终端全链布局,形成技术护城河
资本与机构的双重认可,源于英诺赛科在氮化镓领域的多维突破与硬核实力。
英诺赛科的竞争优势在于其垂直整合的IDM模式(集成器件制造商),覆盖氮化镓产品的设计、制造、封装及测试全流程。截至2024年6月底,公司已建成全球最大氮化镓功率半导体生产基地,月产能达12,500片8英寸晶圆,较6英寸晶圆产线提升80%的晶粒产出效率,单器件成本降低30%。
英诺赛科连续两年荣获“AspenCore全球电子成就奖——全球最具潜力第三代半导体技术奖”。全球电子成就奖于行业而言是一项崇高的荣誉,各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者,充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现
此外,公司研发投入持续加码,全球累计专利及专利申请超750项,覆盖芯片设计、晶圆制造及封装可靠性测试等关键环节。其产品已广泛应用于消费电子快充、新能源电池管理、汽车LiDAR系统及数据中心电源等领域。
今年3月底,英诺赛科还与意法半导体共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议,双方将基于该协议充分发挥各自优势,提升氮化镓功率解决方案性能和供应链韧性。
双方达成联合开发氮化镓功率技术的共识,并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域获得广泛应用的光明前景。此外,根据协议约定,英诺赛科可使用意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆,而意法半导体也可利用英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。双方共同致力于拓展各自的氮化镓产品组合和市场供应能力,并通过增强供应链布局的灵活性和韧性,满足所有客户对多样化应用的需求。
从“小众技术”到“主流选择”
英诺赛科的氮化镓产品生态正在快速扩展。公司披露数据显示,2023 年,以折算氮化镓分立器件出货量计算,英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一,市占率达 42.4%。截至 2024 年 6 月,累计出货量超过 8.5 亿颗。
与此同时,英诺赛科的业务还在保持高歌猛进之势。公司在汽车电子、数据中心、可再生能源及工业应用、人形机器人等多领域取得突破,2024年公司实现收入8.3亿元,同比增长近40%,连续四年实现超高增长。
随着技术迭代和成本下降,氮化镓在工业电源、汽车电子等中高压场景的渗透率有望进一步提升。值得注意的是,英诺赛科的客户群体已从消费电子领域延伸至新能源和汽车电子等高壁垒赛道。例如,其与头部车企合作开发的LiDAR电源方案已进入量产阶段,而针对数据中心的高效电源模块亦获得海外客户订单。
