为平稳过渡，台积电推出了具体安排：客户需在 2025 年第三季度前确认 “最后下单”（LTB）的数量与时间；若有试产（NTO）需求，其 6 英寸产线将恢复新产品导入服务。据了解，台积电的 GaN 业务终止节点为 2027 年 7 月 31 日，这一时间表也与纳微半导体提交给美国证券交易委员会（SEC）的文件内容一致。
据报道，全球晶圆代工龙头台积电已正式证实，将在未来两年内逐步退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务，其位于新竹科学园区的相关产线已停止生产。这一决定不仅牵动着产业链上下游，更让主要客户纳微半导体（Navitas）的产能转移计划浮出水面 —— 该公司已宣布与力积电扩大合作，承接其 GaN 产品代工订单，引发业界对第三代半导体市场格局的广泛关注。
7月1日，纳微半导体公布了一份8-K文件，其中提到，“在获悉公司唯一的氮化镓晶圆供应商台积电将于 2027 年 7 月停止 GaN 生产后，纳微将继续计划实现氮化镓晶圆供应来源多元化。（Navitas will continue plans to diversify its sources of GaN wafers after being informed that Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), the Company’s sole source of GaN wafers, will end GaN production in July 2027）
台积电：基于长期策略退出，过渡安排明确
台积电向行业媒体 DIGITIMES 证实了退出计划，强调该决定是经过完整评估后，基于市场动态与公司长期业务策略作出的选择。“我们正与客户紧密协作，确保过渡期间的顺利衔接，并将在此期间持续满足客户需求。” 台积电同时明确，此举不会影响公司此前公布的财务目标。
为平稳过渡，台积电推出了具体安排：客户需在 2025 年第三季度前确认 “最后下单”（LTB）的数量与时间；若有试产（NTO）需求，其 6 英寸产线将恢复新产品导入服务。据了解，台积电的 GaN 业务终止节点为 2027 年 7 月 31 日，这一时间表也与纳微半导体提交给美国证券交易委员会（SEC）的文件内容一致。
作为全球半导体制造的标杆企业，台积电在 GaN 领域布局已久。其深耕硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术多年，主打 6 英寸晶圆代工服务，不仅与意法半导体（STM）合作加速制程开发，推动分离式与整合式 GaN 元件市场化，还为 Navitas、GaN Systems 等企业代工高压功率元件。旗下子公司世界先进则聚焦 8 英寸硅基氮化镓研发，2021 年台积电曾通过新增 16 台 GaN 设备扩产，将相关设备数量提升至 22 台，产能规模一度增至逾万片。
产能调整与退出动因
台积电退出 GaN 市场的背后，是其对产线资源的系统性优化。2025 年初以来，面对产业市况的剧烈波动，台积电持续调整晶圆厂与先进封装厂规划，包括将部分设备以 7100 万至 7300 万美元出售给世界先进与恩智浦（NXP）在新加坡的合资公司 VSMC，同时整并新竹科学园区的 6 英寸与 8 英寸工厂，实现基层人力的高效调动。
供应链分析认为，此次退出凸显了第三代半导体市场的竞争困境：中国企业的低价策略带来了显著压力，而台积电不愿通过降价维持订单，加之 GaN 业务投片与出货规模有限，获利贡献较低，最终选择战略性淡出。“台积理解客户在低价竞争中的困境，但坚持自身定价策略，最终选择将资源投向更具规模效应的业务。” 一位行业人士表示。
Navitas 转单力积电，行业格局生变
台积电的退出直接推动了主要客户的产能转移。作为长期合作的核心客户，Navitas 已与力积电达成战略合作伙伴关系，计划将 100V 至 650V 的 GaN 产品组合交由后者生产。其中，650V 产品将在未来 12 至 24 个月内从台积电完全转至力积电，100V 系列则计划于 2026 年上半年在力积电投产，首批器件预计 2025 年第四季度完成认证。
力积电方面表示，将依托其 0.18 微米 CMOS 制程能力，在 8 英寸产线上生产硅基氮化镓产品，目标实现更高功率密度、速度与效率，并提升成本控制与制造良率。此次合作的产品将主要满足 48V 基础设施（如超大型 AI 数据中心）及电动车的需求，与 Navitas 在 AI、新能源领域的布局高度契合。
值得注意的是，除 Navitas 外，曾与台积电合作的 GaN Systems、意法半导体、罗姆半导体等企业，未来也可能面临产能调整需求。国内已实现 GaN 芯片产线稳定运行的企业，或将迎来市场机遇，推动全球第三代半导体竞争格局的进一步重塑。
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