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台积电2nm工艺量产时间:最早2024年,全面量产需到2025-2026年

时间:2021-08-02 作者:综合报道 阅读:
在芯片制程之争上,原来台积电与三星经过激烈的竞争,取得了很大的优势。然而,技术和市场都在不断的进步,今年IBM推出了2nm工艺技术,Intel也重启IDM2.0,这给一向重视工艺的台积电带来了较大的压力,其宣布的1nm工艺暂时没有消息,不过其2nm工艺最早2024年量产,全面量产需到2025-2026年。
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在芯片制程之争上,原来台积电与三星经过激烈的竞争,取得了很大的优势。然而,技术和市场都在不断的进步,今年IBM推出了2nm工艺技术,Intel也重启IDM2.0,这给一向重视工艺的台积电带来了较大的压力,其宣布的1nm工艺暂时没有消息,不过其2nm工艺最早2024年量产,全面量产需到2025-2026年。

前几天Intel发布了最新的CPU工艺路线图,瞄准2024年的20A工艺也首次亮相,会使用GAA晶体管工艺,Intel推出了RibbonFET及PowerVia两项革命性技术。接下来是Intel18A,预计2025年初投产,继续强化RibbonFET,还有下一代高NAEUV光刻,与ASML合作。

Intel决心在半导体工艺上重回领导地位,台积电也面临压力,不过其2nm工艺Fab20日前获批。

据介绍,Fab20工厂将分为4期厂房逐步动工,前2期厂房预估会在2023年下半年完工并展开装机作业,2024年下半年可望进入量产阶段,2nm工艺4期厂房全部完工量产要到2025~2026年,总月产能将逾10万片规模。

台积电的2nm工艺虽然没有详细规格流出,但也会上GAA晶体管,台积电为此开发了新的nanosheet纳米片技术,可以更好地控制阈值电压(Vt),波动降低至少15%,将大大改善芯片设计、性能。

除了Intel、台积电之外,三星的3nm工艺工艺也会在2024年左右量产,尽管3nm跟2nm工艺还差了一代,但三星是首个进入GAA晶体管工艺的厂商,依然不容小觑,这三大半导体巨头将在2024年有一场恶战,GAA技术表现如何,三家厂商的表现让人关心。

责编:EditorDan

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