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三星QLC闪存及下一代DDR6性能技术详解

时间:2021-11-22 作者:综合报道 阅读:
尽管内存价格持续下跌,但三星在存储领域的市占率依然超过四成,遥遥领先第二第三。其QLC闪存的性能目前得到改进提升,写入速度重新超越机械硬盘。同时,三星最近分享了其下一代内存DDR6及GDDR7产品技术详情。
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尽管内存价格持续下跌,但三星在存储领域的市占率依然超过四成,遥遥领先第二第三。其QLC闪存的性能目前得到改进提升,写入速度重新超越机械硬盘。同时,三星最近分享了其下一代内存DDR6及GDDR7产品技术详情。

QLC闪存写入可达320MB/s,再次超越机械硬盘

随着闪存的发展,如今廉价、大容量的SSD几乎都要上QLC闪存了,这让消费者很不爽,因为QLC闪存不仅可靠性差,而且性能也慢很多,没有缓存加速的时候,性能甚至跑不过HDD机械硬盘。QLC闪存性能差是先天性的,如果用光了缓存容量空间,现在的QLC闪存真实写入速度也就100MB/s,三星的870QVO硬盘之前有人实测过,拷贝文件的速度也就160MB/s,这个速度甚至还不如一些HDD机械盘快。

三星也注意到这个问题了,未来也会重点关注QLC闪存的性能,目前他们使用的QLC闪存主要还是96层堆栈的V5 QLC,明年会跳过V6 QLC,直接进入176层的V6 QLC闪存时代。

根据三星所说,新一代QLC闪存性能好得多,写入速度2.7倍、读取速度也有2.6倍,不过这是针对V4 QLC闪存的,相比现在的V5 QLC大概能提升一倍,意味着写入性能可提升到320MB/s。

不考虑缓存加速,320MB/s的原始写入性能已经相当可观了,足以让SSD性能重新超过HDD硬盘,并且跟TLC闪存一较高下,相关产品预计在明年上市。

下一代DDR6-12800、GDDR7与HBM3存储产品规划

在2021年度技术日活动期间,三星电子透露了有关下一代硬件开发的诸多规划。首先从遵循JEDEC规范的DDR5标准内存模组开始,该公司计划后续推出更高规格的SKU。虽然仍处于开发阶段,许多细节还有待进一步证实,但我们大可期待DDR5-6400、甚至DDR5-8400之类的高频模组将会到来。

其次是下一代 DDR6 内存标准,据说其速率是 DDR5 的两倍。尽管 DDR6 规范仍处于早期开发阶段,但据 TechPowerUp 所述,每条内存模组的通道数量从 2 个升级到了 4 个,Bank 也增加到了 64 。

除了面向台式机 / 服务器平台的 DDR6 芯片,三星电子还致力于开发面向移动平台的低功耗衍生版本(LPDDR6)。

工艺方面,该公司定于 2022 年初启用 1a-nm 来制造 LPDDR5 内存,因而目前讨论 LPDDR6 还有些为时过早。

据说 DDR6 内存的基准速率会达到 128800 MT/s,高端超频模组更可以达到 17000 MT/s 。

接下来是面向图形市场的 GDDR 和 HBM 产品线,预计 GDDR6+ 将把速率从 18000 MT/s 提升至 24000 MT/s,辅以 1z nm 的首选制程工艺(有望本月开始启用)。

之后将是取代 GDDR6+ 的 GDDR7 显存,其速率有望达到 32000 MT/s,并且引入一项名叫“实时错误保护”的新功能(猜测为某种形式的 ECC 纠错方案)。

最后,这家韩国电子巨头宣称定于 2022 年 2 季度量产速率高达 800 GB/s 的 HBM3 产品,预计主要面向合作伙伴的人工智能等特定解决方案。

三星改进QLC闪存,内存持续下跌

内存价格持续下跌,明年不再增产

由于产能紧张导致缺货,今年很多芯片都在涨价,内存算是个例外。今年价格不仅没有大涨,反而开始跌了,这个趋势会持续到明年上半年,为此三星等内存芯片厂商明年也不会扩产了。三星、SK海力士及美光三家公司垄断了全球95%以上的内存芯片,产能变化主要看这三巨头的表现。

来自供应链的消息称,这三家公司明年不会安装新的设备和设施以扩大产能,2022年的内存总产能相比今年持平或者微幅增长。

明年的内存增长也主要是来自新工艺升级,这也会导致市场上供过于求,促使内存价格进一步下滑——此前的预测中内存价格下滑会持续到2022年上半年。

虽然价格还会再跌一段时间,不过内存厂商的利润依然会持续增长,一方面是先进工艺的增加会降低成本,另一方面就是DDR5内存的普及,它被视为影响2022年内存市场的关键性因素。

目前DDR5内存价格很高,差不多是DDR4内存的2-3倍,而且还在缺货,此前消息称缺货不是因为内存芯片而是PMIC电源管理芯片卡脖子了,价格涨了10倍,交付期也长达35周,大半年才能交货。

责编:EditorDan

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