美国东部时间上周六（5月30日）下午，SpaceX 猎鹰 9 号火箭搭载载人"龙"航天器（Crew Dragon），把两名美国宇航局（NASA）的航天员道格拉斯·赫尔利（Doug Hurley）和鲍勃·本肯（Bob Behnken）送上了国际空间站（ISS）。在轨道上度过了近一整天的时间后，5月31日下午， Crew Dragon成功对接到国际空间站…… ...

业内传华为正试图说服三星及台积电，为其打造不采用美系设备的先进工艺生产线。贸易禁令下，各大Fabless厂都担心成为下一个被美国制裁的对象，知名分析师陆行之也建议台积电极力扶持非美系半导体材料与设备供应商，来打消客户疑虑。但与台积电方面踌躇不定相比，三星在这方面似乎比较积极，有媒体报道称三星已与日本、欧洲相关厂商合作，搭建了一条采用非美系设备的7nm小型产线，正在进行测试…… ...

研究显示，全球市场的碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）等第三代半导体材料功率半导体芯片市场应用量是约3亿多美金，硅材料功率半导体芯片市场应用量超过200亿美金。对此，民进中央拟提交“关于推动中国功率半导体产业科学发展的提案”…… ...

据中国科技大学官网报道，该校合肥微尺度物质科学国家研究中心曾长淦教授研究组与王征飞教授研究组合作，首次在单元素半导体碲中发现了由外尔费米子主导的手性反常现象以及以磁场对数为周期的量子振荡，成功将外尔物理拓展到半导体体系。该研究成果日前在线发表在《美国国家科学院院刊》上。 ...

英特尔资本是与Alphabet（Google）、SaleForce并列的全球最活跃三大风投机构之一，1991年成立，自1991年以来，在全球57个国家和地区进行投资，总额超过126亿美元。英特尔1998年开始在中国投资，至今投资了140多家中国技术公司，总额超过21.3亿美元…… ...

随着宽禁带器件在电动车市场的机会大增，未来SiC与GaN在电动车市场是否发生短兵相接的情况，或各拥山头？ ...

在去年从美国纽交所退市后，TA终于要回来了。5月5日晚间，中芯国际（SMIC）发布公告称，拟在科创板上市，根据公告中的发行股份和其当前港股股价估算，此次中芯国际将募资大约234亿元人民币资金，其中约40%用于投资于12英寸芯片SN1项目，约20%用作为公司先进及成熟工艺研发项目的储备资金，约40%用作为补充流动资金…… ...

Cree推出了首款商用900V SiC功率MOSFET，而且于近期宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合；Microchip和ROHM均已发布了新的SiC MOSFET和二极管；英飞凌在2017年底推出了氮化镓器件，今年二月推出了八款650V CoolSiC MOSFET器件；另外，意法半导体和安森美半导体在WBG宽带隙半导体材料方面也有相关投资；ADI公司已经生产出用于高频应用的GaN器件，并相信这种材料将有助于设计人员减小尺寸和重量，同时实现更高的效率和扩展带宽...... 可以看出各大厂商在SiC或GaN宽带隙半导体材料均有所布局和有着自己的发展策略。 ...

Soitec首席执行官Paul Boudre表示：“在第四季度我们实现了增长预期，尽管产品货运条件受疫情影响，我们仍达成了全年有机增长接近30%的良好表现。我们的增长归功于射频产品的成功，这尤其受益于4G和5G两代蜂窝的部署。”…… ...

华东理工大学材料科学与工程学院教授吴唯课题组通过金属与陶瓷颗粒的设计、合成与组装，成功制备了新型杂化导热填料。这类填料在聚合物中构建导热网络的能力获得大幅提升，能够显著提高聚合物材料的导热性能，具有重要价值。该研究近日在线发表于《材料与设计》。 ...

本次桂林高新区和欣忆电子合作推动的第三代半导体六英寸氮化镓项目一期总投资16亿元，计划用地120亩，拟将依托桂林电子科技大学科研与人才优势，在桂林国家高新区建设获利能力较强、国内外市场影响力较大的氮化镓集成电路生产线…… ...

氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构，特性，两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。 ...

采用分立式氮化镓器件或分立式MOSFET器件的设计工程师，现在可以改用GaN集成电路以节省时间、占板面积及提升他们的系统性能，从而实现具备更高的功率密度、更高的效率及更具成本效益的先进设计。当氮化镓集成电路开始集成多个驱动器、保护电路、控制电路及功率晶体管于单个芯片上时，设计师会逐渐减少分立式晶体管的使用。这是分立式晶体管走向尽头的开始。 ...

在4月8日晚间的华为春季新品发布会上，期待已久的华为P40系列国行版终于发布，与此同时，华为还带来了一款充电器新品，功率65W。这款充电器属于 GaN（氮化镓）类型，支持双口超级快充（Type-A和Type-C）模式，能给手机和平板进行快速充电，或将引发GaN热潮... ...

不久前，人们认为SiC和GaN器件的应用相当困难。但2018年，这些技术的优势开始应用到现实生活中。SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”（WBG），WBG器件作为一种新型工具解决了功率器件设计师在这个以“效率”为口号的时代所面临的问题，这将直接给市场带来巨大冲击。 ...

氮化镓(GaN)器件以其独特的高开关频率、高功率密度和高转换效率等优势在移动设备PD充电器市场找到了用武之地。但能否成为传统硅器件的理想替代方案而快速普及，还要看其面临的设计、制造和应用问题能否得到有效解决。 ...

近日，GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半导体（ON Semiconductor），宣布执行一项为期五年的协议，总价值可达5,000万美元。 ...

纪念CCD问世50年。1969年，沃勒德‧保尔(Willard Boyle)与乔治‧艾沃德‧史密斯(George E. Smith)于美国电报电话公司的贝尔实验室(AT&T Bell Labs)发明了电荷耦合组件(Charge Coupled Device，CCD)。CCD是一个具有极高灵敏度的光子传感器。 ...

未来十年，人们对汽车电源和服务器电源的思考方式将发生变化。iPhone于2007年问世，这仅发生在12年前，而现在已没人能够想象生活中没有这台设备了。整个汽车行业在未来十年将发生相同的事情—人们将无法想象还开着燃油车的样子，而会看到向电动汽车和自动驾驶的重大转变。 ...

在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。 ...

从Google TensorFlow、APU、NPU到BPU等专为AI而生的新型处理器，到小芯片以及多芯片封装，甚至是量子运算，在日前于ISSCC上揭露的先进芯片技术，无论对于电路设计还是AI都同样重要... ...

法国Soitec公司首席执行官Paul Boudre最近在接受EE Times采访时表示，越来越多的RF芯片设计公司正在寻找“新材料来解决他们的问题”。RF半导体设计者都在挖空心思为5G系统寻找新材料和新设计/架构。但是为什么会这样呢？ ...