据TrendForce集邦咨询研究，GaN功率元件，其主要应用大宗在于消费性产品，至2025年市场规模将达8.5亿美元，年复合成长率高达78%。前三大应用占比分别为…… ...

2021年9月6日，模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。 ...

本文首先介绍了主动PFC原理，分析了实现主动PFC+风机+压缩机需要哪些硬件资源，然后介绍了功夫KF32对1拖3的方案优化，最后对风机，水泵、轮毂电机、吸尘器电机等方面的应用案例进行了解析。 ...

本文首先简要分析了半导体功率分立器件的市场趋势及分布，然后介绍了捷捷微电的高效能功率器件MOSFET，最后捷捷微电副总经理于玮诏先生分享了捷捷微电的目标和功率器件之梦。 ...

参与面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管现场讨论；直接观看点播来自Nexperia实验室视频演示  ...

安森美半导体在与GTAT达成交易之前，大部分用于SiC芯片中的晶圆都是从外部供应商采购的。上述交易将能让安森美半导体扩增SiC货源，并满足客户不断增长的对可持续生态系统中基于SiC的解决方案的需求，包括电动车、电动车充电和能源基础设施。 ...

日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。 ...

为有序使用无线电频谱资源、维护空中电波秩序等原因，工信部无线电管理局在2021年初发布了《无线充电(电力传输)设备无线电管理暂行规定(征求意见稿)》，为无线充电快充比快大赛按下暂停键——规定自2022年1月1日起，所有在国内销售和使用的移动和便携式无线充电设备额定传输功率不得超过50瓦。从有线快充到无线快充，一场愈演愈烈的快充“内卷”化趋势正在迎来减缓的时代，快充停止“比快”后还能如何发展呢？ ...

闻泰周日（8月15日）更新的一份《进展公告》显示，英国当地时间8月12日，安世半导体收到英国公司注册处（Companies House）的股东权益确认通知书，确认了安世半导体持有NWF母公司NEPTUNE6 LIMITED 全部股东权益。这也标志着安世半导体完成对NWF的收购，此前的审查、截胡传闻也告一段落…… ...

从2015年到现在，瑞能半导体的产品布局已经发生了相当大的变化。“2015年我们主要做LP晶闸管、功率半导体FRD、SBD等以及高压的晶体管。现在的产品线丰富了很多，也有很多模块化的产品。”瑞能产品覆盖的应用，以及获得的市场机会也随即变得多样。 ...

近日，富士康宣布以9000多万美元收购一家晶圆制造厂，在全球芯片供应空前紧张的情况下深化芯片业务。通过这项交易，富士康将能够切入生产正迅速成为电动汽车行业领先技术的半导体产品。 ...

电力电子技术中，器件、驱动、拓扑，以及系统，是不可分割的整体，需要深层次配合，才能够相得益彰，获得优异的电力电子系统整体性能。对于特高压输电系统之类的超大型电力电子系统而言，安全可靠长期运行是第一位的，成本价格还在其次。因此，在选择器件的时候，首先要考虑可靠性有保障的器件。 ...

以碳化硅为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一。其中碳化硅功率模块是新能源汽车电机驱动系统的关键部件，具备耐高压、耐高温、高开关频率、低开关损耗等特点，对整车的主要技术指标和整体性能有着重要影响。 ...

Tesla S Plaid在最大功率时充电效率高达每小时936英里，而Long Range则达到了每小时972英里，尽管这样的高功率在实际充电时只持续5分钟。 ...

功率耗散和温度耗散是嵌入式电机控制应用中一直存在的挑战。汽车执行器的增长以及对减少二氧化碳排放和重量的追求，推动着该领域的集成度和性能密度不断提高。降低功率耗散和提高散热的目标必须通过结合众多适当的措施来实现。 ...

随着电源要求、法规管制以及效率标准和EMI要求的日趋严格，电源越来越需要采用开关功率器件，因为开关功率器件效率更高且工作范围更宽。与此同时，设计人员持续承受着降低成本和节省空间的压力，面对这些需求，需要替代经典硅 (Si) 基 MOSFET 的产品。碳化硅 (SiC) 现已成熟并发展到第三代，已经成为一种明智的选择。本文对Si和SiC进行了简要比较，介绍了Cree/Wolfspeed的SiC器件示例，并说明了如何使用此类器件进行设计。 ...

在充分了解GaN晶体管栅极驱动电路后，可以相对轻松地实现GaN晶体管并联配置应用。其中最大的挑战来自于具体应用的高功率和高开关频率，而这些正是许多工程师采用现有硅器件时所从未经历过的。通过遵循良好PCB布局基本规则，在栅极和开尔文源极路径中使用共模电感，并平衡不同晶体管之间的电流，有助于最大程度地减小电压振荡。 ...

宽带隙半导体技术将在功率转换和能效的未来发展中发挥巨大的作用。与同等硅产品相比，SiC 开关更小，更快，效率更高。这些技术广泛用于各种应用中，从电动汽车到光伏材料。因此，使用正确的工具测试这些技术变得非常重要，这样设计人员才能正确设计、开发及整合到最终应用中。 ...

2019年6月，东风公司与中国中车两大央企在武汉合资成立智新半导体有限公司，旨在实现IGBT核心资源自主掌控。2021年7月7日，华中地区首只量产的车规级IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块产品从智新半导体模块封装工厂下线，此次投产的IGBT模块，具有良好的散热性和抗电磁干扰性，能够满足车规级产品的高可靠性要求…… ...

近日，东莞市天域半导体科技有限公司发生工商变更，新增股东华为关联投资机构深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）等；注册资本由约9027万增至约9770万，增幅超8%。在第三代半导体领域的布局上，此前华为旗下的哈勃科技投资了4家第三代半导体产业链公司，除了东莞天域，还有山东天岳、天科合达、瀚天天成…… ...

对电源和电池进行测试，需要使用能够吸收大电流并能消耗大量功率的电流负载。如果要使电路能够吸收大电流或消耗数十瓦的功率，则可以使用一个运算放大器来对多个并联工作的MOSFET进行控制。但是，简单地并联MOSFET会产生不良影响。 ...

本设计实例中的电路提供的欠压保护功能(UVP)可防止许多种类的可充电电池可能因深度放电而损坏，并可用作负载开关。这种电路几乎不用任何修改就可以适用于电压从4.5V至19V的几乎所有类型电池。电路的待机电流小于1µA。 ...