在最近举行的BMO虚拟技术峰会上，美光科技回应媒体，表示该公司将无法在9月14日之后继续向华为供货。他们也是继台积电之后，第二个公开表示在9月14日之后断供华为的公司。但美光如果真的这么做，受到的损失远不止几十亿美元营收这么简单…… ...

截至23日凌晨12点的24小时内，韩国共新增397人确诊，疫情濒临全国大爆发的边缘。在这波疫情中，三星位于首都南部约60公里的华城园区，两名芯片生产线工人被查出感染了COVID-19。尽管出现了病毒感染病例，但他们表示，其生产仍处于正常状态…… ...

芯粒（Chiplet）作为一个可行的先进芯片设计和制造方案日渐被业界认可，主要的半导体制造商都已转向芯粒，以应对摩尔定律物理极限所产生的影响， 但却发现有太大的问题需要解决。 ...

美国半导体IP公司Xperi公布其可为DRAM提供一种更理想的堆叠方法——DBI Ultra 2.5D/3D互连，可制造8、12甚至16层芯片封装，因而拥有延伸超越摩尔定律的潜力…… ...

DDR5的改进并不仅以新特性的形式出现。在某些情况下，与前几代DRAM架构相比，仅仅是对DDR5的优化便带来了显著的改进和好处。 ...

虽然DDR SDRAM 以前的迭代(例如，DDR3向DDR4的迭代)本质上变化不大，但DDR4向DDR5迭代的意义远远超过了典型的迭代变化。DDR5彻底改变了整个DDR架构，在内部封装了更多的功能，取得了重大进步。 ...

为什么从Silicon 60扩展到Silicon 100？这些初创公司的地理位置分布有什么明显的特征？过去20年来，风投对半导体创业的投资有什么变化？风投支持的半导体初创公司的发展前景如何？该榜单可以看出哪些半导体技术发展趋势？ ...

关于QLC NAND技术怎样适用于数据中心，市面上确实有着各种各样的观点。尽管一些潜在用户最初担心该技术能否承受数据中心的工作负载，但伴随着市场对QLC需求的持续增长和众多OEM厂商的验证，这些担忧已基本消除。换句话说，QLC技术通过自身的质量和可靠性证明其大规模应用不存在任何障碍。 ...

采用RISC-V架构的处理器不经意出现在日常电子产品中，似乎已经变得越来越稀松平常了：不仅是一些典型的MCU厂商开始拥抱RISC-V，如我们前不久采访的泰凌微电子，以及去年推出RISC-V产品线的兆易创新。而且还体现在一些业已成熟的产品中，如今年的中国IC领袖峰会上，我们与硅谷数模对话，了解到如今十分成熟的TCON芯片内部竟也不显山、不露水地加入了RISC-V小核心…… ...

KLA公司宣布推出eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。 ...

美国媒体CIO Review评选出在HPC(高性能计算，High Performance Computing)领域最富有潜力的20大企业。其中，中国企业澜起科技（Montage）、 华澜微电子(SageMicro)入选。其评价企业之标准是以掌握核心技术、具有战略远期布局和前景为重点，而不是单纯企业规模…… ...

7月15日，JEDEC固态技术协会正式发布下一个主流内存标准DDR5 SDRAM的最终规范（JESD79-5），为全球计算机内存技术拉开新时代序幕。DDR5将峰值内存速度提高了一倍达到6.4Gbps，同时也大大增加了内存容量。外型上保持与DDR4相同的288个引脚数，但定义不同，不能兼容DDR4插槽。基于新标准的硬件预计将于2021年推出…… ...

2020年7月7日，江波龙电子收到了晶存公司发来的律师函，指控其故意隐瞒事实，诬陷他人。 据悉，晶存公司在律师函中指出，“贵司声明所述的DRAM产品检测技术及其方案均为公知技术，并非贵司专属”…… ...

光威弈PRO DDR4内存条采用自主国产的长鑫DRAM颗粒，由深圳市嘉合劲威电子科技公司生产制造。嘉合劲威声称，光威弈Pro DDR4是中国首款采用自主国产芯片，性能和品质能够满足消费市场需求的国产内存条。它的出现填补了国内消费市场的空白， 标志着国产存储的成功崛起。 ...

三星高级技术学院(SAIT)的研究人员与蔚山国家科学技术学院(UNIST)、剑桥大学两家高校合作，发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料。此项研究已发表在《自然》杂志上，研究团队相信该材料有望加速下一代半导体材料的问世。 ...

几乎每年EETimes都会公布一份上一年吸引我们注意的电子和半导体初创企业名单，2020年推出的是EETimes的第20个榜单，这一次我们做了个“大动作”…… ...

在面向数据中心的支撑协议中，NVMe协议是更适合SSD产品的。据行业分析公司IDC预测，服务于超大规模云客户、OEM厂商和终端用户的IT组织都将继续迁出传统的SATA和SAS接口。至2020年，NVMe有望占据企业级PCIe SSD总出货量的55%以上，并在2018~2023年间以38%的复合年增长率持续增长。毋庸置疑，闪存的未来属于兼具速度、效率、容量和经济高效的可扩展性的NVMe。 ...

美国旧金山联邦地方法院在当地时间6月24日发出逮捕令，将包括福建晋华总经理陈正坤在内的三名人员被列入美国通缉名单，另外两名是从美光跳槽联电的工程师何建廷和王永明。有业内人士认为，这起案件的直接原因是联电和美光之间的知识产权纠纷，但福建晋华在本次事件中“遇人不淑”，给联电挡了枪…… ...

【2020年6月28日 － 中国上海讯】全球电子技术领域的领先媒体集团 ASPENCORE今天在上海龙之梦万丽酒店隆重举办 2020中国IC领袖峰会暨中国IC设计成就奖颁奖典礼。本届峰会以“中国IC的‘危’与‘机’” 为主题，特邀中国半导体产业界最受瞩目的本土IC领袖，共话全球变局下中国IC设计产业面临的挑战与机遇，并与现场数百位资深设计工程师、管理精英和技术决策者共同探讨“中国芯”的突破和未来成长之道…… ...

企业与数据中心固态硬盘外形尺寸(EDSFF)是专门为以NVMe为基础的存储硬盘打造，无论这些硬盘是采用闪存或是其它存储级内存(SCM)... ...

日前，武汉新芯在其官方新闻中表示，自主研发的50纳米浮栅式（50nm Floating Gate）工艺代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片已全线量产。前，在全球NOR Flash存储芯片领域，业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术，已逼近此类芯片的物理极限，无论是存储单元面积还是存储密度，均达到国际先进水平…… ...

中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组，日前在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展，在国内首次实现了晶圆级亚百纳米STT-MRAM存储器件制备…… ...