瑞能半导体科技股份有限公司是专注于功率半导体的全球领先企业，前身为恩智浦半导体标准产品事业部，2015年8月注册于江西南昌。公司运营中心位于上海，拥有吉林芯片生产基地、香港子公司、上海及英国研发中心、东莞物流中心，并建立了覆盖全球的销售与服务体系。
瑞能结合先进的双极功率技术与恩智浦在中国制造业和分销渠道的资源优势，主营可控硅/晶闸管、碳化硅器件、快恢二极管、TVS/ESD、IGBT及模块等功率半导体产品，广泛应用于消费电子（家电）、工业制造（通信电源）、新能源及汽车领域。拥有超100件专利（含6项境外专利），近两年研发投入占比超7%。晶闸管全球市占率第二（国内第一），碳化硅二极管全球第五至七名（国内第一）（Omdia 2023数据）。且产品应用于多家全球知名品牌，形成技术壁垒并与头部客户深度绑定。
瑞能半导体拥有全球员工超500人，研发人员占比约12%。通过自有团队+代理模式构建全球销售网络，精准匹配客户需求。依托研发-生产-物流全链条布局，支撑半导体国产化与进口替代，获国家政策支持（属战略性新兴先导产业）。深耕行业形成先发优势，以技术积累、量产经验及客户协同开发能力构建良性循环，持续推动功率半导体在智能制造领域的创新应用。
瑞能半导体于近日推出2000V高压（HV）标准整流器系列。该系列针对高压系统需求设计，正向压降（VF）较竞品降低5%，热阻改善20%，显著提升效率、降低冷却成本并延长使用寿命，适用于可再生能源储能与电动汽车快充系统。
2000V HV系列集成专有单芯片设计，最大限度地减少了导通损耗，优化环形电路，增强热管理，确保1500V母线系统与1000VDC电动汽车充电基础设施的可靠运行，降低电压尖峰和杂散电感对组件寿命带来的风险，最高工作温度150°C，适应严苛环境，增强在动态负载条件下的鲁棒性；采用TO247-2L封装，简化集成至高功率设计。可有效减轻电动汽车快充负载中的电压尖峰，提升系统可靠性和功率密度。
瑞能半导体技术创新，注重前沿研发。过去12个月内，瑞能半导体密集推出三大突破性产品：1. 600V超级结MOSFET：针对AI服务器及通信电源，以超低电阻（65mΩ）、强热管理能力及零电压开关拓扑技术，显著提升能效与功率密度。2. 2000V高压整流器系列：正向压降较竞品低5%，热阻优化20%，为可再生能源储能与电动汽车快充提供高可靠性解决方案。3. 碳化硅TSPAK封装技术：通过顶部散热设计降低16%热阻，减少电磁干扰，赋能电动汽车、光伏系统及服务器电源实现小型化与长效稳定运行。
瑞能半导体精准市场定位与全球布局，战略聚焦高增长领域。产品深度覆盖新能源（光伏/储能）、电动汽车（充电桩/车载电源）、AI基础设施及工业电源，紧贴“双碳”与智能化趋势。依托上海研发中心、吉林芯片生产基地、南昌可靠性实验室及全球销售网络，实现技术自主与高效交付，服务覆盖全球市场。
瑞能半导体通过优化器件性能（如降低能耗20%），助力客户减少冷却成本、提升系统功率密度，加速光伏逆变器、快充桩等绿色技术普及。其产品应用于节能家电、新能源设施，年均减少全球碳排放超万吨，契合ESG发展理念。