AI时代的存储芯片技术新突破。领开自有知识产权的ATopFlash技术 高容量、低功耗
领开不仅仅是一个芯片设计公司：领开是一个半导体技术公司。
ATopFlash © 技术是领开自有知识产权，是独立于工艺的非挥发性存储芯片的底层设计架构的发明。可用于量产之55/40/28nm 以及FINFET 20/14/10nm/7nm以下逻辑工艺制程(包含嵌入式Flash IP)。
领开已获得中国技术专利17项，专利申请中3项。入选2025年浙江省种子独角兽Top 100。
ATopFlash©技术的关键技术已经在40nm硅片(Test-key)得到认证。
第一颗55nm芯片, 2025.05 出片技术验证成功。26/27年展开量产40nm全线产品的设计和生产。
ATopFlash©技术具有巨大竞争优势 (成本减少 > 50%)
JINBO 先生领开半导体创始人，首席执行官。
研究领域及个人成就：
金波先生在半导体行业深耕逾28载，长期专注于芯片技术研发，已累计获得27项美国专利和19项中国专利。其职业生涯始于Cypress，期间他便创新性地开发出一种SRAM架构，该架构随后在全球范围内被广泛应用于65纳米及以下工艺节点的嵌入式MCU和SRAM芯片设计。此后，金波又成功发明了SONOS 2T1b（双晶体管单比特）技术架构。目前，这一技术（源自Cypress授权）已成为国内普冉半导体（PURAM）在NOR Flash领域采用的核心方案。然而，金波的技术创新并未止步。他继而开创性地研发出具有颠覆性的ATopFlash技术架构，攻克了NOR Flash行业长期存在的技术瓶颈。基于这一突破性成果，他创立了领开半导体，旨在突破行业同质化竞争的困局，引领技术潮流，开创产品未来；
上海交通大学理学学士/文学双学士学位；亚利桑那州立大学理学硕士，哈佛商学院EMBA。