一、技术优势
工艺迭代优化:
第3代平面栅SiC MOSFET工艺通过缩小元胞的Pitch（单元间距），显著提升了器件密度。在保证器件耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻（Rsp）降低至2.5mΩ·cm²，达到国际一流水平。

高温性能的提升:
第3代产品的导通电阻(Ron)温度系数明显降低，在高温下保持稳定的低损耗。例如，第3代1200V SiC MOSFET的Ron在驱动电压为15V时，175°C 高温下的仅为常温（25°C）的 1.42倍；当驱动电压为18V时，该比值为 1.65倍，而市场其他产品几乎都在2倍以上。

二、产品技术规格
高可靠性标准:
全系列产品按汽车级可靠性标准(AEC-Q101)设计和测试认证。关键产品，如首款1200V 11mΩ 大电流SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z），还增加更严格的极端性能测试验证。

全系列规格:
具有650V、750V、1200V，1400V和3300V电压平台，满足不同行业多种母线电压的需要；导通电阻覆盖11mΩ~150mΩ，满足从高中低功率段的需求；

创新封装:
1）更低寄生电感的TO247-4Slim封装，有利于降低损耗，更大引脚间距，降低焊接短路风险；2）TC3Pak和SMPD顶部散热封装，可简化散热设计，压缩系统体积，支持自动化表面贴装。

三、多领域应用突破
第3代1200V SiC MOSFET批量交付多家知名光伏、充电桩客户应用，还获得多家客户车载电驱的项目定点。截至2025年7月，第3代SiC MOSFET累计交付近300万颗，获得市场充分验证与认可。