EPC2367是一款100V增强型氮化镓（eGaN^®）场效应晶体管，在先进电源转换应用中可提供业界领先的效率、开关速度和功率密度。其典型导通电阻（RDS(on)）仅为1.2毫欧，并具备超低栅极电荷（QG），专为高频高性能电源系统设计，有效弥补了传统硅基MOSFET的性能局限。
该器件采用3mm x 5mm紧凑型热增强QFN封装，支持顶部散热设计，其布局可最大程度降低寄生参数影响，既能加速设计周期又能实现卓越的热管理性能。其开关频率可稳定工作于数MHz范围，特别适合追求系统小型化、瞬态响应优化和电磁干扰最小化的电源设计应用。
主要特性：
• 额定电压： 100 V
• 典型导通电阻（RDS(on)）： 1.2 mΩ
• 超低栅极电荷（QG）和输出电荷（QOSS），实现高速开关
• 无反向恢复电荷，低输出电容
• 顶部散热 QFN 封装（3 mm × 5 mm）
• 专为高速、高效电源转换优化
目标应用领域：
• AI服务器、通信及工业计算领域的高密度DC-DC转换器
• 汽车激光雷达、机器人及3D传感系统——支持快速激光脉冲与紧凑型设计
• 对效率、尺寸及低失真要求严苛的D类音频放大器
• AI/GPU服务器板卡电源模块——优化供电效率并降低热负载
• 电池供电设备（机器人、无人机、电动滑板车等个人移动载具）
• 可编程电源及精密实验室仪器——需快速低噪声开关特性
竞争优势：
• 显著降低开关损耗和导通损耗，实现更高系统效率
• 支持高频工作模式并减少被动元件需求，助力系统小型化
• 采用顶部散热设计且发热量更低，简化热管理方案
• 瞬态响应速度更快，可显著提升动态系统的调节精度
综上所述，EPC2367代表了氮化镓技术的又一次突破性进展——它以紧凑易用的封装形态提供业界领先的性能，助力工程师轻松满足复杂电力系统的设计需求。