2025年度全球电子成就奖 / 东芝电子元件(上海)有限公司 / 4通道高速磁隔数字隔离器DCL541L01
东芝电子元件(上海)有限公司
Toshiba Devices & Storage (Shanghai) Co., Ltd.
长按二维码识别后,点右上角分享
4通道高速磁隔数字隔离器DCL541L01
成功入围,正在参加评选 2025年度全球电子成就奖 - 年度功率半导体/驱动器产品
中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列,该系列具有100kV/μs(最小值)的高共模瞬态抑制(CMTI)和150Mbps的高速数据速率。该系列六款产品于今日开始支持批量出货。

想要确保工厂自动化设备的安全性和可靠性,需要隔离器件来确保绝缘并防止噪声传播。东芝提供了数字隔离器解决方案,以满足工业应用在更高速度、多通道信号通信以及高CMTI方面的要求。

新产品采用东芝专有的磁耦合式绝缘传输方法,可提供100kV/μs(最小值)的高CMTI[1]。这不仅实现了隔离信号通信中输入/输出间电气噪声的高容限,而且也有助于稳定的控制信号传输和设备运行。数字隔离器具有0.8ns(典型值)的低脉宽失真[2]和150Mbps(最大值)的高速数据速率,适用于多通道高速通信应用,如用于SPI通信的I/O接口。

东芝标准数字隔离器的结构是利用芯片内的氧化膜进行绝缘。 因此,可通过应用与MOSFET栅极氧化层随时间击穿相同的概念(TDDB:与时间相关的电介质击穿[注1])来预测标准数字隔离器的隔离寿命。

“用于基本隔离和加强隔离的磁耦合器和电容耦合器”[注2]已由国际安全标准标准化,标准号为IEC 60747-17: 2020(第1版)和VDE V 0884-11,并规定了上述TDDB的测试条件。

DCL54x01系列符合VDE V 0884-11标准,应用增强隔离至最大工作隔离电压VIORM=1.0kVrms[注3]。在1.2kVrms条件下进行TDDB测试,安全系数(1.2)乘以加强隔离所需的上述VIORM。此外,在加强隔离所需的1ppm不良率外推线上,1.2kVrms条件下的寿命确定点为37.5年[注4].

作为参考,除了测试上述VDE认证所需的最短额定寿命外,我们预测在测试电压的加速条件下,隔离寿命为70年或更长,超过了VDE规格。

特性
• 高共模瞬态抑制:CMTI=100kV/μs(最小值)
• 高速数据速率:tbps=150Mbps(最大值)
• 低脉宽失真:PWD=0.8ns(典型值)(VDD1=VDD2=5V)
• 传输延迟时间tPHL,tPLH典型值(ns)= 10.9 ns
• 四通道:正向三通道和反向一通道
本次投票禁止恶意刷票行为,主办方保留判断投票结果公正性、真实性的权力。本次活动解释权归AspenCore所有。