高功率DC-DC应用设计新方案：DFN3.3x3.3源极朝下封装技术 AONK40202正在参与年度功率半导体/驱动器产品-投票-2025年度全球电子成就奖

2025年度全球电子成就奖 / 万国半导体元件（深圳）有限公司 / 高功率DC-DC应用设计新方案：DFN3.3x3.3源极朝下封装技术 AONK40202

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高功率DC-DC应用设计新方案：DFN3.3x3.3源极朝下封装技术 AONK40202

成功入围，正在参加评选 2025年度全球电子成就奖 - 年度功率半导体/驱动器产品

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AONK40202 采用创新的 DFN3.3x3.3 源极朝下（Source Down）封装技术，相比传统的漏极朝下（Drain Down）封装解决方案，降低功率损耗和提升散热性能方面表现更出色。该器件凭借更低的导通电阻(RDS(on))和增强的散热性能，为工程师提供了优化PCB空间利用率的关键技术优势。AONK40202的这些创新特性正是为应对AI服务器日益增长的功率密度需求提供理想解决方案。

更多产品信息：
https://www.aosmd.com/news/alpha-and-omega-semiconductor-introduces-25v-mosfet-dfn33x33-source-down-packaging-meets-power