Nexperia推出了16款新型80 V和100 V功率MOSFET，采用其紧凑而创新的CCPAK1212铜夹封装，树立了功率密度和器件整体性能的新标杆。该产品旨在满足对功率需求较高的应用，尤其适用于电机控制、电源、电池管理系统（BMS）和可再生能源基础设施等领域。这些MOSFET提供顶部和底部散热选项，为工程师在高功率负载下有效管理热性能提供了灵活性和可靠性。
CCPAK1212设备卓越性能的关键在于其内部铜夹结构。与传统使用线键合的封装不同，这些MOSFET采用了一种结构，其中功率MOSFET的晶圆夹在两片铜片之间，一侧是漏极散热片，另一侧是源极夹片。这种结构显著降低了导通电阻和寄生电感，从而实现了卓越的电气性能和增强的热管理。消除线键合进一步提高了电流承载能力和可靠性。
这个新系列中的佼佼者是 PSMN1R0-100ASF，这是一款 100 V MOSFET，具有 0.99 mΩ 的极低导通电阻。它可以能够承载460 A电流并达到1.55 KW耗散功率，所有这些都在一个紧凑的仅占用12mm×12mm的电路板空间中完成。其对应的 PSMN1R0-100CSF 提供类似的规格，但针对顶部散热进行了优化。
除了通用功率器件外，该系列还包括为 AI 服务器中的热插拔功能开发的专用 MOSFET （ASFET）。这些 ASFET 提供增强的安全工作区 （SOA），确保在具有挑战性的线性模式转换期间稳定运行，并提高高性能计算环境中的系统稳健性。
CCPAK1212 封装的小尺寸和热效率可帮助设计人员减少大电流设计中所需的并联 MOSFET 数量，从而简化系统架构并实现更紧凑、更具成本效益的解决方案。双重散热选项还允许灵活的散热策略，当基于 PCB 的热路径受到其他敏感元件的限制时，这一点尤其有价值。
为了支持设计人员，所有器件都带有 JEDEC MO-359 标准注册，确保广泛的兼容性和在新设计中更容易采用。Nexperia 还提供广泛的设计导入工具，包括热补偿仿真模型和交互式Datasheet。这些数据表超越了传统的 PDF，提供了“图形到 CSV”导出等功能，使工程师能够快速有效地分析器件特性。

展望未来，Nexperia 旨在扩展 CCPAK1212 封装以支持更广泛的电压范围，包括符合 AEC-Q101 标准的汽车级器件。此举使 Nexperia 能够满足各种下一代系统对高效率、高可靠性 MOSFET 日益增长的需求。