具有低导通电阻RDS(on)的SiC MOSFET开关可降低器件发热导致的功率损耗，这意味着它们能承受更高电流，从而实现更高的功率密度。而Nexperia SiC MOSFET相较于其他厂商器件的显著附加优势在于：即使应用温度升高，其导通电阻RDS(on)仍保持高度稳定。这一特性在电动汽车车载充电器（OBC）等典型开关频率达60 kHz或更高的应用中尤为有利。该稳定性是通过补偿器件内部部分正温度系数来实现的，从而形成更平坦的导通电阻曲线（图1）。例如，Nexperia某款导通电阻为40 mΩ（25 °C时）的SiC MOSFET，当工作温度升至175 °C时，其阻值仅增长1.5倍（约 60 mΩ）。相比其他竞争器件通常呈现2倍增长（达80 mΩ或更高）、必须降额使用的情况，这是显著改进。Nexperia SiC开关卓越的温度稳定性意味着工程师在相同功率应用中可使用更少器件。例如，40 mΩ的D2PAK封装MOSFET在最高工作温度下可输出近9 kW功率，而更小尺寸的30 mΩ器件更能提供高达11.5 kW功率。

X.PAK顶部散热封装为设计带来更高自由度

虽然当前功率水平已令人瞩目，但采用Nexperia新一代顶部散热（TSC）封装的开关器件可实现更高功率输出。其内部芯片相同，但通过热界面材料实现顶部散热——这种散热方式比通过安装器件的PCB板散热高效得多。例如，当40 mΩ D2PAK封装的MOSFET在输出7.5 kW功率时工作温度约为115 °C，而相同规格的TSC器件工作温度可低至75 °C，降幅达40 °C。仅通过改变散热方式，就能将功率性能进一步提升。以典型3.5 kW充电器为例，这种改进的散热方案可将电动汽车充电时间从1小时缩短至40甚至30分钟。设计者还可选择提高充电器的开关频率，从而减小所需无源元件（尤其是磁性元件）的尺寸。这不仅有助于降低整体方案成本，更小的无源元件还能缩减充电解决方案的体积和重量——这对空间受限的电动汽车和电量有限的电池系统尤为重要。
电流承载能力更强的SiC MOSFET开关还具有另一优势：由于发热量更低，其实际使用寿命更长，这在电动汽车和太阳能光伏等需要多年可靠运行的高价值应用中至关重要。此外，对于低功率应用，设计者可选用导通电阻RDS(on)更高的MOSFET——这类器件通常采用更小尺寸芯片，能提供更具成本效益的解决方案。