Vishay新推出16款采用工业标准SOT-227封装的650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管 ，旨在为高频应用提供高速和高效率。在同类二极管中，这些器件在电容电荷（Qc）和正向压降之间实现了出色的平衡。
这些器件包括40 A至240 A的并联双二极管组件，以及50 A至90 A单相桥器件。这些二极管基于先进的薄晶圆技术制造，正向压降低至1.36 V，显著减小导通损耗，提高能效。此外，与硅基二极管相比，这些器件具有更好的反向恢复参数，几乎没有恢复尾电流。
这些器件的典型应用包括AC/DC功率因数校正（PFC），以及用于光伏系统、充电站、工业不间断电源（UPS）和电信电源的反激式（FBPS）和LLC转换器中的DC/DC超高频输出整流。在这些应用环境下，二极管QC低至56 nC，可实现高速开关，其采用的行业标准封装可直接替代竞品解决方案。
这些二极管可在高达+175 C高温下工作，并且具有正温度系数便于并联。这些器件通过UL E78996认证，其特点是端子之间具有较大的爬电距离，以及简化的机械设计，便于快速组装。